[發明專利]一種銅銀元素比例可調的碘銅銀三元化合物薄膜材料及常溫原位控制合成方法

有效

• 申請號: 201710867656.7
• 申請日: 2017-09-22
• 公開（公告）號: CN107723661B
• 公開（公告）日: 2020-02-28
• 發明（設計）人: 鄭直;董佩哲;雷巖;賈祖孝;宋皓;陳璐;劉松子
• 申請（專利權）人: 許昌學院
• 主分類號: C23C14/14
• 分類號: C23C14/14;C23C14/16;C23C14/34;C23C14/58;H01L31/032;H01L31/0445
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 喬宇;官群

1.一種銅銀元素比例可調的碘銅銀三元化合物薄膜材料，其特征在于：為薄膜狀，厚度100-500nm，銅、銀單質層厚度5~150nm，所述碘銅銀三元化合物分子式為Cu_xAg_1-xI，其中x=0.1-0.9。

2.根據權利要求1所述的銅銀元素比例可調的碘銅銀三元化合物薄膜材料，其特征在于：上述銅銀元素比例可調的碘銅銀三元化合物薄膜材料還包括用于負載碘銅銀三元化合物的基底材料。

3.根據權利要求2所述的銅銀元素比例可調的碘銅銀三元化合物薄膜材料，其特征在于：所述基底材料為ITO導電玻璃、FTO導電玻璃、硅片中的一種。

4.權利要求1所述的銅銀元素比例可調的碘銅銀三元化合物薄膜材料的制備方法，其特征在于：步驟如下：在基底材料表面濺射一層單質銅，然后進一步濺射一層單質銀，然后將濺射有銅銀的樣品置于密封容器中于碘蒸汽環境中室溫反應至濺射有銅銀的樣品完全變色得到碘銅銀三元化合物薄膜材料；基底材料表面濺射的單質銅和單質銀層的厚度根據需要調控。

5.根據權利要求4所述的銅銀元素比例可調的碘銅銀三元化合物薄膜材料的制備方法，其特征在于：所述的濺射為磁控濺射。

6.根據權利要求4所述的銅銀元素比例可調的碘銅銀三元化合物薄膜材料的制備方法，其特征在于：密封容器中放置碘粒，作為碘蒸氣來源，并且碘粒與濺射有銅銀的樣品不直接接觸。

7.根據權利要求4所述的銅銀元素比例可調的碘銅銀三元化合物薄膜材料的制備方法，其特征在于：所述室溫溫度范圍為18-40℃，反應時間10-30min。

8.根據權利要求4所述的銅銀元素比例可調的碘銅銀三元化合物薄膜材料的制備方法，其特征在于：濺射用銅、銀靶材純度為99.99%。

9.權利要求1所述的碘銅銀三元化合物薄膜材料在光電轉換器件中的應用。