[發明專利]MEMS麥克風及其形成方法有效
| 申請號: | 201710867168.6 | 申請日: | 2017-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN109534277B | 公開(公告)日: | 2021-05-04 |
| 發明(設計)人: | 王明軍;汪新學;閭新明 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | B81B7/00 | 分類號: | B81B7/00;B81C1/00;H04R7/04 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吳敏 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | mems 麥克風 及其 形成 方法 | ||
一種MEMS麥克風及其形成方法,所述MEMS麥克風包括:基板,基板包括功能區和包圍功能區的支撐區,所述功能區基板中具有背腔,所述背腔貫穿所述基板;位于所述功能區基板上的第一電極膜,所述第一電極膜橫跨所述背腔;位于所述支撐區基板上的支撐件,所述支撐件包括拐角區,所述拐角區包括第一拐角面和第二拐角面,所述第一拐角面與第二拐角面相交形成拐角;位于所述功能區第一電極膜上的第二電極膜,所述第二電極膜與所述支撐件接觸,所述第二電極膜與所述第一電極膜之間具有間隙;位于所述支撐件拐角區表面的保護層。其中,在所述第二電極膜振動的過程中,所述保護層能夠保護所述拐角,防止所述拐角開裂,從而能夠延長MEMS麥克風的壽命。
技術領域
本發明涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種MEMS麥克風及其形成方法。
背景技術
MEMS即微機電系統(Microelectro Mechanical Systems),是在微電子技術基礎上發展起來的多學科交叉的前沿研究領域。經過四十多年的發展,已成為世界矚目的重大科技領域之一。它涉及電子、機械、材料、物理學、化學、生物學、醫學等多種學科與技術,具有廣闊的應用前景。
MEMS(微型機電系統)麥克風是基于MEMS技術制造的麥克風,簡單的說就是一個電容器集成在微硅晶片上。MEMS麥克風能夠承受很高的回流焊溫度,容易與CMOS器件及其它音頻電路相集成,并具有低噪聲性能,從而使其應用越來越廣泛。
MEMS麥克風的組成一般是由MEMS微電容傳感器、微集成轉換電路、聲腔、RF抗干擾電路這幾個部分組成的。MEMS微電容極頭包括接受聲音的硅振膜和硅背極,硅振膜可以直接接收到音頻信號,經過MEMS微電容傳感器傳輸給微集成電路,微集成電路把高阻的音頻電信號轉換并放大成低阻的電信號,同時經RF抗噪電路濾波,輸出與前置電路匹配的電信號,就完成了聲電轉換。通過對電信號的讀取,實現對聲音的識別。
現有技術形成的MEMS麥克風的壽命較短。
發明內容
本發明解決的問題是提供一種MEMS麥克風及其形成方法,能夠延長MEMS麥克風的壽命。
為解決上述問題,本發明技術方案提供一種MEMS麥克風,包括:基板,所述基板包括功能區和包圍所述功能區的支撐區,所述功能區基板中具有背腔,所述背腔貫穿所述基板;位于所述功能區基板上的第一電極膜,所述第一電極膜橫跨所述背腔;位于所述支撐區基板上的支撐件,所述支撐件包括拐角區,所述拐角區包括第一拐角面和第二拐角面,所述第一拐角面與第二拐角面相交并形成拐角;位于所述功能區第一電極膜上的第二電極膜,所述第二電極膜與所述支撐件接觸,所述第二電極膜與所述第一電極膜之間具有間隙;位于所述支撐件拐角區表面的保護層。
可選的,所述保護層的機械強度大于所述支撐件的機械強度,所述保護層的材料為鉻金、銅、鋁或鎢。
可選的,所述保護層與所述連接線的材料相同;所述保護層的厚度與所述連接線的厚度相同;所述保護層的厚度為90nm~110nm。
可選的,所述第二電極膜包括:位于所述第一電極膜上的導電層;所述支撐件包括:位于所述支撐區基板上的支撐層,所述支撐層中具有開口,所述開口位于支撐區支撐層和功能區支撐層之間;位于所述支撐層上和所述開口側壁的犧牲層。
可選的,所述第二電極膜還包括:位于所述導電層上的受力層。
可選的,所述受力層還位于所述支撐區犧牲層上,所述支撐件還包括:位于所述支撐區犧牲層上的受力層。
可選的,所述導電層的材料為多晶硅、多晶鍺或多晶硅鍺;所述受力層的材料為氮化硅。
可選的,還包括:連接線,所述連接線包括:連接所述第一電極膜的第一連接線;連接第二電極膜的第二連接線。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司,未經中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710867168.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





