[發(fā)明專利]電子傳輸層及其制備方法、鈣鈦礦電池及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710867010.9
• 申請日: 2017-09-22
• 公開（公告）號: CN107742673B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳加坡;孫建俠;田清勇;范斌
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山協(xié)鑫光電材料有限公司
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/00
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 潘艷麗

1.一種電子傳輸層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

將錫鹽、鋅鹽、以及水合肼在80℃～100℃下混合反應(yīng)并沉淀，分離得到納米氧化錫；所述鋅鹽中鋅離子與所述水合肼的摩爾比為1:1～1:20；

將所述納米氧化錫分散于有機(jī)溶劑中，形成涂覆液；

將所述涂覆液涂覆在基體上，在60℃～120℃下退火，形成電子傳輸層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子傳輸層的制備方法，其特征在于，所述錫鹽為氯化錫；所述鋅鹽為氯化鋅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子傳輸層的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)溶劑選自正己烷、異丙醇、正丁醇、和氯苯中的一種或幾種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子傳輸層的制備方法，其特征在于，所述涂覆液的濃度為5mg/L～80mg/mL。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子傳輸層的制備方法，其特征在于，所述涂覆為旋涂。

6.一種鈣鈦礦電池的制備方法，其特征在于，包括權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的電子傳輸層的制備方法。

7.一種電子傳輸層，其特征在于，所述電子傳輸層通過權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述制備方法獲得。

8.一種鈣鈦礦電池，其特征在于，包括權(quán)利要求7所述的電子傳輸層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鈣鈦礦電池，其特征在于，所述鈣鈦礦電池為反置結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鈣鈦礦電池，其特征在于，所述電子傳輸層的厚度為30nm～100nm。