[發(fā)明專利]顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710866523.8
• 申請日: 2017-09-22
• 公開（公告）號: CN107871766B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金陽完;李受珍;權(quán)善子;金炳善;樸賢愛;樸亨埈;李在容;全裕珍
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H10K59/131
• 分類號: H10K59/131;H10K59/121;H10K59/35
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉燦強(qiáng)

本公開的示例性示例提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：基底，包括第一像素區(qū)、具有比第一像素區(qū)的面積小的面積并且連接到第一像素區(qū)的第二像素區(qū)以及圍繞第一像素區(qū)和第二像素區(qū)的外圍區(qū)；第一像素，設(shè)置在第一像素區(qū)中；第二像素，設(shè)置在第二像素區(qū)中；第一線，連接到第一像素；第二線，連接到第二像素；虛設(shè)部，設(shè)置在外圍區(qū)中，與第一線和第二線中的至少一條疊置，并且提供補(bǔ)償?shù)谝痪€與第二線之間的負(fù)載值的差異的寄生電容；以及電源線，設(shè)置在第一像素區(qū)和第二像素區(qū)中，其中，虛設(shè)部包括具有至少一個接觸孔的絕緣層。

本申請要求于2016年9月22日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0121559號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的公開通過引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種顯示裝置。

背景技術(shù)

顯示裝置可以包括多個像素，像素中的每個包括顯示元件。像素中的每個還可以包括線和連接到線并驅(qū)動顯示元件的多個晶體管。

連接到像素的線可以具有根據(jù)它們的長度而變化的負(fù)載值。由于工藝余量，設(shè)置有像素的像素區(qū)的尺寸可以根據(jù)其位置而變化。在顯示裝置上顯示的圖像中會發(fā)生由線之間的負(fù)載值的差異和和像素區(qū)的尺寸的差異引起的亮度差。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的實(shí)施例提供了一種具有均勻的亮度的顯示裝置。

本公開的實(shí)施例提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：基底，包括第一像素區(qū)、具有比第一像素區(qū)的面積小的面積并且連接到第一像素區(qū)的第二像素區(qū)以及圍繞第一像素區(qū)和第二像素區(qū)的外圍區(qū)；第一像素，設(shè)置在第一像素區(qū)中；第二像素，設(shè)置在第二像素區(qū)中；第一線，連接到第一像素；第二線，連接到第二像素；虛設(shè)部，設(shè)置在外圍區(qū)中，與第一線和第二線中的至少一條疊置，并且提供補(bǔ)償?shù)谝痪€與第二線之間的負(fù)載值的差異的寄生電容；以及電源線，設(shè)置在第一像素區(qū)和第二像素區(qū)中，其中，虛設(shè)部包括具有至少一個接觸孔的絕緣層。

虛設(shè)部可以包括：有源圖案，設(shè)置在基底上；第一金屬層，設(shè)置在絕緣層上，其中，絕緣層設(shè)置在有源圖案上，有源圖案的一部分通過至少一個接觸孔暴露，其中，有源圖案和第一金屬層通過接觸孔連接。

接觸孔可以設(shè)置在有源圖案與第一金屬層之間的重疊區(qū)域中。

第一金屬層可以連接到電源線。

固定電壓可以被施加到電源線和虛設(shè)部。

外圍區(qū)可以包括：第一外圍區(qū)，位于第一像素區(qū)的附近；第二外圍區(qū)，位于第二像素區(qū)的附近；以及附加的外圍區(qū)，與第一外圍區(qū)和第二外圍區(qū)相鄰。

虛設(shè)部可以設(shè)置在第二外圍區(qū)中。

虛設(shè)部還可以包括設(shè)置在有源圖案與第一金屬層之間的第二金屬層。

絕緣層還可以包括虛設(shè)接觸孔。

設(shè)置在虛設(shè)部中的元件的密度可以與設(shè)置在設(shè)置為在第二像素區(qū)中最靠近虛設(shè)部的第二像素中的元件的密度相似。

虛設(shè)部可以包括彼此分離一定距離的至少兩個子虛設(shè)部。

至少兩個子虛設(shè)部可以通過結(jié)合圖案彼此連接。

結(jié)合圖案可以設(shè)置在第二金屬層與第一金屬層之間。

顯示裝置還可以包括：鈍化層，設(shè)置在第一金屬層上；像素限定層，設(shè)置在鈍化層上；以及密封層，覆蓋第一像素區(qū)、第二像素區(qū)和外圍區(qū)的部分并且包括無機(jī)材料。

鈍化層和像素限定層可以包括谷，谷通過沿第一像素區(qū)和第二像素區(qū)的周界去除鈍化層和像素限定層的部分形成。

谷可以形成在與結(jié)合圖案對應(yīng)的位置處。

密封層可以覆蓋鈍化層和像素限定層的側(cè)表面。