[發(fā)明專利]陽離子交換膜和電解槽有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710866421.6 | 申請日： | 2017-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN107916435B | 公開（公告）日： | 2019-06-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 平野利德;森川卓也;角佳典;澤田拓男 | 申請（專利權(quán)）人： | 旭化成株式會社 |
| 主分類號： | C25B13/02 | 分類號： | C25B13/02;C25B13/08;C25B1/46;C25B9/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 龐東成;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 膜主體 陽離子交換膜 表面形成 電解槽 開孔部 凸部 離子交換基 電解性能 截面視圖 增強(qiáng)芯材 聚合物 面積率 陰極面 復(fù)數(shù) 含氟 開孔 配置 損傷 | ||
1.一種陽離子交換膜，其中，
該陽離子交換膜具有：
膜主體，其包含具有離子交換基的含氟系聚合物；以及
增強(qiáng)芯材，其配置于所述膜主體的內(nèi)部，
在截面視圖中，在所述膜主體的至少一個表面形成有高度為20μm以上的凸部，
所述凸部在所述膜主體的所述表面的配置密度為20個/cm2～1500個/cm2，
在所述膜主體的所述表面形成有復(fù)數(shù)個開孔部，
所述開孔部的總面積相對于所述膜主體的所述表面的面積的比例、即開孔面積率為0.4％～15％。
2.如權(quán)利要求1所述的陽離子交換膜，其中，所述開孔部在所述膜主體的所述表面的開孔密度為10個/cm2～1000個/cm2。
3.如權(quán)利要求1或2所述的陽離子交換膜，其中，由下式計(jì)算出的露出面積率為5％以下，
露出面積率(％)＝(俯視所述膜主體的所述表面時所述增強(qiáng)芯材的一部分露出的露出部的投影面積的總和)/(所述膜主體的所述表面的投影面積)×100。
4.如權(quán)利要求1或2所述的陽離子交換膜，其中，所述增強(qiáng)芯材包含含氟系聚合物。
5.如權(quán)利要求1或2所述的陽離子交換膜，其中，
所述膜主體具有：
第1層，其包含具有磺酸基的含氟系聚合物；以及
第2層，其層積于所述第1層且包含具有羧酸基的含氟系聚合物，
在所述第1層的表面形成有所述開孔部。
6.如權(quán)利要求1或2所述的陽離子交換膜，其中，該陽離子交換膜進(jìn)一步具有涂布層，該涂布層覆蓋所述膜主體的至少一個表面的至少一部分。
7.如權(quán)利要求1或2所述的陽離子交換膜，其中，所述凸部具有選自由圓錐狀、多棱錐狀、圓臺狀、多棱臺狀和半球狀組成的組中的至少一種形狀。
8.一種電解槽，其具備：
陽極、
陰極、以及
權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的陽離子交換膜，其配置于所述陽極與所述陰極之間。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于旭化成株式會社，未經(jīng)旭化成株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710866421.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種回火爐燒嘴的管道系統(tǒng)
- 下一篇：電子式無焰蠟燭
