[發明專利]一種跨阻放大電路及其設計方法有效
| 申請號: | 201710865227.6 | 申請日: | 2017-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN107733383B | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發明(設計)人: | 金銳 | 申請(專利權)人: | 烽火通信科技股份有限公司;武漢飛思靈微電子技術有限公司 |
| 主分類號: | H03F3/68 | 分類號: | H03F3/68 |
| 代理公司: | 武漢智權專利代理事務所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 張凱 |
| 地址: | 430000 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 放大 電路 及其 設計 方法 | ||
1.一種跨阻放大電路的設計方法,所述跨阻放大電路包括跨阻放大器A1、第一電容C1、第一電阻R1和第一MOS管Q1,所述第一電阻R1和第一MOS管Q1串聯后與第一電容C1并聯,所述第一電容C1一端與所述跨阻放大器A1的反向輸入端相連,另一端與所述跨阻放大器A1的輸出端相連;
其特征在于,所述設計方法包括以下步驟:
設計原跨阻放大電路,所述原跨阻放大電路包括跨阻放大器A1、第二電容C2和第二電阻R2,所述第二電容C2和第二電阻R2并聯,所述第二電容C2一端與所述跨阻放大器A1的反向輸入端相連,另一端與所述跨阻放大器A1的輸出端相連;
根據所述原跨阻放大電路,得到第二電阻R2的阻值;
根據所述第二電阻R2的阻值,對應匹配所述第一電阻R1和第一MOS管Q1,使所述第一電阻R1和第一MOS管Q1的串聯阻值等于所述第二電阻R2的阻值;
匹配所述第一電阻R1和第一MOS管Q1的方法如下:
設計等效匹配電路,所述等效匹配電路包括兩個并聯的支路和一運算放大器A3,其中一所述支路由第二MOS管Q2和第二電阻R2順次串聯而成,另一所述支路由第三MOS管Q3、第三電阻R3和第四MOS管Q4順次串聯而成,所述運算放大器A3的正向輸入端與所述第二MOS管Q2的輸出端相連,所述運算放大器A3的反向輸入端與所述第三MOS管Q3的輸出端相連,所述運算放大器A3的輸出端與所述第四MOS管Q4的柵極相連,且兩個所述支路并聯后串聯一第五MOS管Q5,所述第五MOS管Q5的源極接地;
對所述第二MOS管Q2和第三MOS管Q3施加相同的偏置電壓,調節所述第三電阻R3的阻值,直至所述運算放大器A3到達虛短狀態,得到所述第四MOS管Q4的柵極電壓;
匹配所述第一電阻R1和第一MOS管Q1,使所述第一電阻R1的阻值等于所述第三電阻R3的阻值,所述第一MOS管Q1柵極的偏置電壓等于所述第四MOS管Q4的柵極電壓。
2.如權利要求1所述跨阻放大電路的設計方法,其特征在于:所述第一MOS管Q1為NMOS管。
3.如權利要求1所述跨阻放大電路的設計方法,其特征在于:所述第二MOS管Q2和第三MOS管Q3均為PMOS管。
4.如權利要求1所述跨阻放大電路的設計方法,其特征在于:所述第四MOS管Q4和第五MOS管Q5均為NMOS管。
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