[發(fā)明專利]量子發(fā)光二極管和顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710864914.6
• 申請(qǐng)日: 2017-09-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107623075A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁偉;矯士博
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/50
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44300
• 代理人: 黃威

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種量子發(fā)光二極管和顯示裝置。

背景技術(shù)

由于量子點(diǎn)材料的發(fā)光波長(zhǎng)可隨材料尺寸的變化而變化，且其具有激發(fā)光譜寬、電子遷移率高、光線純度高等優(yōu)勢(shì)，因此被廣泛應(yīng)用于顯示裝置中。

量子點(diǎn)背光(Quantum Dot Liquid crystal display，QD-LCD)技術(shù)將量子點(diǎn)材料應(yīng)用到LCD(Liquid crystal display)背光源中。量子點(diǎn)本身具有發(fā)光特性，在藍(lán)色LED背光的照射下將生成紅光(Red，R)和綠光(Green，G)，并同部分透過(guò)薄膜的藍(lán)光(Blue，B)一起混合得到白光，從而提升整個(gè)LCD背光的發(fā)光效果。

QD-LCD技術(shù)僅僅是提高了LCD的背光發(fā)光效果，QLED(Quantum Dot Light Emitting Diode，量子點(diǎn)發(fā)光二極管)技術(shù)才是真正的自發(fā)光顯示技術(shù)。在QLED中，量子點(diǎn)層夾在電子傳輸層和空穴傳輸層之間，外加電場(chǎng)使電子和空穴移動(dòng)到量子點(diǎn)層，載流子在量子點(diǎn)層中進(jìn)行復(fù)合產(chǎn)生激子，激子被量子點(diǎn)發(fā)光材料俘獲并輻射發(fā)光。然而現(xiàn)有的QLED器件雖然可以實(shí)現(xiàn)自發(fā)光，但是也存在壽命較短的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種量子發(fā)光二極管和顯示裝置，可以提高量子發(fā)光二極管的壽命。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種量子發(fā)光二極管，包括依次層疊設(shè)置的第一電子層、有機(jī)發(fā)光層、第一空穴層、第二電子層、量子點(diǎn)發(fā)光層及第二空穴層；

所述第一電子層用于向所述有機(jī)發(fā)光層傳輸?shù)谝浑娮樱?/p>

所述第一空穴層用于向所述有機(jī)發(fā)光層傳輸?shù)谝豢昭ǎ?/p>

所述有機(jī)發(fā)光層用于復(fù)合所述第一電子和所述第一空穴發(fā)射第一光線；

所述第二電子層用于向所述量子點(diǎn)發(fā)光層傳輸?shù)诙娮樱?/p>

所述第二空穴層用于向所述量子點(diǎn)發(fā)光層傳輸?shù)诙昭ǎ?/p>

所述量子點(diǎn)發(fā)光層用于復(fù)合所述第二電子和所述第二空穴發(fā)射第二光線。

在一些實(shí)施例中，所述有機(jī)發(fā)光層的摻雜染料包括DSP-ph、DPVBl或TPATAZ中的一種或多種，所述有機(jī)發(fā)光層的主體材料包括CBP、TcTa或TMPyPb的一種或多種，所述有機(jī)發(fā)光層的厚度范圍為20-40納米，所述有機(jī)發(fā)光層發(fā)射的所述第一光線波長(zhǎng)范圍為450-480納米。

在一些實(shí)施例中，所述量子點(diǎn)發(fā)光層的組成材料包括硒化鎘/硫化鋅、硫化鎘/硫化鋅、硒化鎘/硒化鋅、硫化鎘/硒化鋅中的一種或多種，所述組成材料的粒徑范圍為2-5納米，所述量子點(diǎn)發(fā)光層的厚度范圍為20-40納米，所述量子點(diǎn)發(fā)光層發(fā)射的所述第二光線波長(zhǎng)范圍為540-570納米。

在一些實(shí)施例中，所述第一電子層包括依次層疊設(shè)置的陰極、電子注入子層及第一電子傳輸子層，所述第一電子傳輸子層設(shè)置在所述有機(jī)發(fā)光層上；

所述陰極用于提供所述第一電子；

所述電子注入子層用于將所述第一電子注入所述第一電子傳輸子層；

所述第一電子傳輸子層用于將所述第一電子傳輸至所述有機(jī)發(fā)光層。

在一些實(shí)施例中，所述陰極的組成材料包括鋰、鎂、鈣、鍶、鑭、銪、鐿、鈰、鋁、銫、銣、銀的一種或多種，所述陰極的厚度范圍為50-200納米；

所述電子注入子層的組成材料包括氟化鋰、氟化鈉、喹啉鋰的一種或多種，所述電子注入子層的厚度范圍為0.5-3納米；

所述第一電子傳輸子層的組成材料包括BCP、TmPyPb、Bphen、TRZ、OXD-7、TAZ、TPBl、TPyPhB中一種或多種，所述第一電子傳輸子層的厚度范圍為20-60納米。

在一些實(shí)施例中，所述第一空穴層包括第一空穴傳輸子層和空穴產(chǎn)生子層，所述空穴產(chǎn)生子層設(shè)置在所述第二電子層上；

所述空穴產(chǎn)生子層用于提供所述第一空穴；

所述第一空穴傳輸子層用于將所述第一空穴傳輸至所述有機(jī)發(fā)光層。

在一些實(shí)施例中，所述第一空穴傳輸子層的組成材料包括NPB、TDAPB、PIDATA、TDAB、BFA-1T、TPTE的一種或多種，所述第一空穴傳輸子層的厚度范圍為10-60納米；

所述空穴產(chǎn)生子層的組成的材料包括HATCN、CuPc、2-TNATA的一種或多種，所述空穴產(chǎn)生子層的厚度范圍為5-50納米。

在一些實(shí)施例中，所述第二電子層包括電荷產(chǎn)生子層和第二電子傳輸子層，所述第二電子傳輸子層設(shè)置在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上；

所述電荷產(chǎn)生子層用于提供所述第二電子；