[發明專利]一種壓電諧振器的制備方法和壓電諧振器

在審

• 申請號: 201710864033.4
• 申請日: 2017-09-22
• 公開（公告）號: CN107508571A
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發明（設計）人: 何軍;其他發明人請求不公開姓名
• 申請（專利權）人: 安徽安努奇科技有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種壓電諧振器的制備方法，其特征在于：包括：

在第一襯底上形成單晶壓電材料層；

在所述單晶壓電材料層遠離所述第一襯底一側的表面形成多晶壓電材料層。

2.根據權利要求1所述的壓電諧振器的制備方法，其特征在于，在第一襯底上形成單晶壓電材料層包括：

提供單晶襯底；

在所述單晶襯底上外延生長單晶AlN，形成單晶AlN壓電層。

3.根據權利要求2所述的壓電諧振器的制備方法，其特征在于，所述多晶壓電材料層與所述單晶壓電材料層的材料相同。

4.根據權利要求3所述的壓電諧振器的制備方法，其特征在于，在所述單晶壓電材料層遠離所述第一襯底一側的表面形成多晶壓電材料層包括：

在所述單晶AlN壓電層遠離所述第一襯底一側的表面沉積多晶AlN，形成多晶AlN壓電層。

5.根據權利要求2所述的壓電諧振器的制備方法，其特征在于，所述多晶壓電材料層與所述單晶壓電材料層的材料不同。

6.根據權利要求5所述的壓電諧振器的制備方法，其特征在于，在所述單晶壓電材料層遠離所述第一襯底一側的表面形成多晶壓電材料層包括：

采用沉積法在所述單晶AlN壓電層遠離所述第一襯底一側的表面沉積鋯鈦酸鉛壓電陶瓷、多晶氧化鋅、鉭酸鋰或鈮酸鋰，形成PZT壓電層、ZnO壓電層、LiTaO₃壓電層或LiNbO₃壓電層。

7.根據權利要求2-6任一項所述的壓電諧振器的制備方法，其特征在于，所述單晶AlN壓電層的厚度小于0.6μm。

8.根據權利要求1所述的壓電諧振器的制備方法，其特征在于，所述單晶壓電材料層和所述多晶壓電材料層的總厚度大于或等于1.5μm。

9.根據權利要求1所述的壓電諧振器的制備方法，其特征在于，在所述單晶壓電材料層遠離所述第一襯底一側的表面形成多晶壓電材料層之后，還包括：

在所述多晶壓電材料層遠離所述第一襯底一側的表面形成第一電極；

將帶有所述第一電極的壓電諧振器通過所述第一電極壓合至第二襯底，并利用薄膜轉移工藝將所述第一襯底剝離掉；

在所述單晶壓電材料層遠離所述第二襯底一側的表面形成第二電極。

10.根據權利要求9所述的壓電諧振器的制備方法，其特征在于，所述第一電極和/或所述第二電極的材料為Al、Cu、Ag、W、Pt、Ti和Mo中的一種或者多種組合。

11.一種壓電諧振器，其特征在于，包括：

單晶壓電材料層；

形成于所述單晶壓電材料層一側表面的多晶壓電材料層；

形成于所述多晶壓電材料層遠離所述單晶壓電材料層一側表面的第一電極；

形成于所述單晶壓電材料層遠離所述多晶壓電材料層一側表面的第二電極。

12.根據權利要求11所述的壓電諧振器，其特征在于，所述單晶壓電材料層的材料為單晶AlN。

13.根據權利要求12所述的壓電諧振器，其特征在于，所述多晶壓電材料層的材料為多晶AlN、鋯鈦酸鉛壓電陶瓷、多晶氧化鋅、鉭酸鋰或鈮酸鋰。

14.根據權利要求12或13所述的壓電諧振器，其特征在于，所述單晶壓電材料層的厚度小于0.6μm。

15.根據權利要求11所述的壓電諧振器，其特征在于，所述單晶壓電材料層和所述多晶壓電材料層的總厚度大于或等于1.5μm。

16.根據權利要求11所述的壓電諧振器，其特征在于，所述第一電極和/或所述第二電極的材料為Al、Cu、Ag、W、Pt、Ti和Mo中的一種或多種組合。