[發明專利]阻變存儲器裝置及其制造方法有效

申請號：	201710863654.0	申請日：	2017-09-22
公開（公告）號：	CN108231116B	公開（公告）日：	2020-12-15
發明（設計）人：	陳達	申請（專利權）人：	華邦電子股份有限公司
主分類號：	G11C13/00	分類號：	G11C13/00
代理公司：	北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205	代理人：	馬雯雯;臧建明
地址：	中國臺灣臺***	國省代碼：	臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	存儲器裝置及其制造方法
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【說明書】：

本發明提供一種阻變存儲器裝置及其制造方法，該阻變存儲器裝置包括：第一阻變存儲器元件、第二阻變存儲器元件以及存儲器控制器。第一阻變存儲器元件配置于芯片上。第二阻變存儲器元件配置于相同的芯片上。存儲器控制器配置于相同的芯片上。存儲器控制器用以控制第一阻變存儲器元件與第二阻變存儲器元件的數據存取。第一阻變存儲器元件的存取頻率與第二阻變存儲器元件存取頻率不同。

技術領域

本發明涉及存儲器裝置及其制造方法，尤其涉及阻變存儲器裝置及其制造方法。

背景技術

阻變存儲器的性能高度仰賴于相變化材料的組成。依靠單一合成物，如原本普及的Ge₂Sb₂Te₅(GST)材料，使得阻變存儲器難以同時滿足數據保留與速度的要求。另一方面，阻變存儲器技術的近期改良與3D XPoint^TM存儲器的崛起，表明了這種技術不能被忽略，并且其優化的形式可與動態隨機存取存儲器(DRAM)和NAND快閃存儲器競爭，主要是由于增強的交叉點密度避免了小晶體管的處理。

發明內容

本發明涉及用于高速且具存儲功能的高密度交叉點存儲器。

本發明的一范例實施例提供了一種阻變存儲器裝置的制造方法。所述制造方法包括：在基板上形成多個起始層，其中多個起始層包括介電層；在介電層中形成第一阻變存儲器堆疊以作為第一阻變存儲器元件；以及在介電層中形成第二阻變存儲器堆疊以作為第二阻變存儲器元件。第一阻變存儲器元件的存取頻率與第二阻變存儲器元件的存取頻率不同。

本發明的一范例實施例提供了一種阻變存儲器裝置。阻變存儲器裝置包括第一阻變存儲器元件、第二阻變存儲器元件以及存儲器控制器。第一阻變存儲器元件配置于芯片上。第二阻變存儲器元件配置于相同的芯片上。存儲器控制器配置于相同的芯片上。存儲器控制器被配置用以控制第一阻變存儲器元件與第二阻變存儲器元件的數據存取。第一阻變存儲器元件的存取頻率與第二阻變存儲器元件存取頻率不同。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1是依據本發明一實施例所顯示的阻變存儲器裝置的方塊示意圖；

圖2至圖6與圖7A至圖11A是依據本發明一實施例所顯示的阻變存儲器裝置的制造流程的剖面示意圖；

圖7B至圖11B分別是依據本發明一實施例所顯示的圖7A至圖11A的制造流程的俯視示意圖。

附圖標號說明：

100：阻變存儲器裝置

110：第一阻變存儲器元件

120：第二阻變存儲器元件

130：存儲器控制器

112：第一阻變存儲器堆疊

122：第二阻變存儲器堆疊