[發(fā)明專利]一種太陽能電池薄膜的制備設(shè)備及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710862883.0 | 申請日: | 2017-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN109536893A | 公開(公告)日: | 2019-03-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州纖納光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;H01L51/48 |
| 代理公司: | 浙江一墨律師事務(wù)所 33252 | 代理人: | 陳紅珊;楊馨雨 |
| 地址: | 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池薄膜 制備 蒸發(fā)源容器 蒸鍍 樣品擋板 蒸發(fā)物 速率傳感器 基片樣品 容器擋板 制備設(shè)備 加熱臺 蒸發(fā) 致密 加熱蒸發(fā)裝置 真空抽氣管道 鈣鈦礦薄膜 太陽能電池 材料結(jié)晶 加熱蒸發(fā) 產(chǎn)業(yè)化 內(nèi)底面 內(nèi)頂面 蒸發(fā)量 加熱 測試 生產(chǎn) | ||
1.一種太陽能電池薄膜的制備設(shè)備,包括中空且密封的蒸鍍艙,其特征在于,在所述蒸鍍艙的內(nèi)底面設(shè)置至少一個(gè)蒸發(fā)源容器及其容器擋板,在所述蒸發(fā)源容器內(nèi)放置有用于制備太陽能電池薄膜的蒸發(fā)物,所述容器擋板設(shè)置在蒸發(fā)源容器的頂部并通過控制裝置自動打開或關(guān)閉蒸發(fā)源容器,在所述蒸發(fā)源容器上設(shè)置有加熱蒸發(fā)裝置使得其內(nèi)的蒸發(fā)物被加熱蒸發(fā),所述加熱蒸發(fā)裝置被控制裝置所控制;在所述蒸鍍艙的內(nèi)頂面設(shè)置上加熱臺和樣品擋板,在所述上加熱臺上設(shè)置了用于固定基片樣品的樣品夾,所述上加熱臺給基片樣品加熱,所述樣品擋板設(shè)置在基片樣品的下部,通過控制裝置自動遮擋或顯露基片樣品;在所述蒸鍍艙上還設(shè)置有真空抽氣管道以及用于測試蒸發(fā)物蒸發(fā)量的蒸發(fā)速率傳感器,所述蒸發(fā)速率傳感器設(shè)置在蒸發(fā)源容器的上方且位于樣品擋板與容器擋板之間。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池薄膜的制備設(shè)備,其特征在于,在所述蒸鍍艙的內(nèi)底面設(shè)置有三個(gè)蒸發(fā)源容器及其容器擋板,在相鄰兩個(gè)蒸發(fā)源容器之間設(shè)置了可拆卸隔板,將三個(gè)蒸發(fā)源容器進(jìn)行空間上的相互隔離,在所述每個(gè)蒸發(fā)源容器的上方均設(shè)置蒸發(fā)速率傳感器。
3.如權(quán)利要求2所述的太陽能電池薄膜的制備設(shè)備,其特征在于,在所述蒸鍍艙的內(nèi)頂面還設(shè)置有旋轉(zhuǎn)軸,所述上加熱臺設(shè)置在旋轉(zhuǎn)軸上,所述旋轉(zhuǎn)軸帶動上加熱臺和基片樣品同時(shí)轉(zhuǎn)動。
4.如權(quán)利要求2所述的太陽能電池薄膜的制備設(shè)備,其特征在于,在所述蒸鍍艙上還設(shè)置有用于測試蒸鍍艙內(nèi)真空度的壓強(qiáng)傳感器。
5.一種太陽能電池薄膜的制備方法,其特征在于,采用如權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的太陽能電池薄膜的制備設(shè)備,所制備的是鈣鈦礦太陽能電池薄膜,包括如下步驟:先在沉積有載流子傳輸層的基片樣品上通過溶液法制備金屬鹵化物BX2薄膜,之后將基片樣品傳送到蒸鍍艙中,向蒸發(fā)源容器內(nèi)加入直徑在0.5-5mm范圍內(nèi)的篩選過的石英砂顆粒,鋪滿蒸發(fā)源容器的底部,厚度在1-20mm范圍,然后向蒸發(fā)源容器中緩慢填充前驅(qū)物AX,開啟加熱蒸發(fā)裝置給前驅(qū)物AX加熱使其蒸發(fā),并借助蒸發(fā)速率傳感器時(shí)時(shí)監(jiān)控其蒸發(fā)速率,開啟上加熱臺給基片樣品加熱,基片樣品的加熱溫度范圍為50-100℃,蒸鍍艙內(nèi)的真空度控制在10-6 Pa-105 Pa之間,蒸發(fā)的前驅(qū)物AX分子通過氣相沉積與金屬鹵化物BX2薄膜的分子反應(yīng)生成混合型鈣鈦礦薄膜層;
其中,BX2為二價(jià)金屬鹵化物,其中B為二價(jià)金屬陽離子,包括鉛、錫、鎢、銅、鋅、鎵、鍺、砷、硒、銠、鈀、銀、鎘、銦、銻、鋨、銥、鉑、金、汞、鉈、鉍、釙中的任意一種,X為碘、溴、氯、砹中的至少一種陰離子,A為銫、銣、胺基、脒基或者堿族中至少一種陽離子。
6.如權(quán)利要求5所述的太陽能電池薄膜的其制備方法,其特征在于,所述前驅(qū)物AX蒸發(fā)速率控制在0-5?/s,反應(yīng)時(shí)間5-100min。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





