[發(fā)明專利]太陽(yáng)能電池背鈍化膜層結(jié)構(gòu)及其生成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710861951.1
• 申請(qǐng)日: 2017-09-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107658358A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳克;樊華;聶玉山;張子森;彭彪;李慧;談錦彪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東方環(huán)晟光伏（江蘇）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/049
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/049;H01L31/18
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責(zé)任公司32218
• 代理人: 劉暢,徐冬濤

1.一種太陽(yáng)能電池背鈍化膜層結(jié)構(gòu)，其特征在于太陽(yáng)能電池襯底背表面依次附有氧化硅膜、氧化鋁膜和氮化硅膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池背鈍化膜層結(jié)構(gòu)，其特征在于所述氧化硅膜膜厚范圍1-10nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池背鈍化膜層結(jié)構(gòu)，其特征在于所述氧化鋁膜膜厚范圍2-35nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池背鈍化膜層結(jié)構(gòu)，其特征在于所述氧化鋁膜的折射率為1.55-1.70。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池背鈍化膜層結(jié)構(gòu)，其特征在于所述氮化硅膜為一層，膜厚范圍60-180nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)能電池背鈍化膜層結(jié)構(gòu)，其特征在于所述氮化硅膜的折射率為1.9-2.3。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池背鈍化膜層結(jié)構(gòu)，其特征在于所述氮化硅膜為兩層，第一層氮化硅膜膜厚范圍10-60nm；第二層氮化硅膜膜厚50-90nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽(yáng)能電池背鈍化膜層結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一層氮化硅膜的折射率為2.1-2.3；所述第二層氮化硅膜的折射率為1.9-2.0。

9.一種太陽(yáng)能電池背鈍化膜層的生成方法，其特征在于包括以下步驟：

S1：采用腔體加熱溫度300-500℃，壓力為0.1-0.2mbar，通入N₂O流量100sccm-1000sccm；通過(guò)射頻/微波功率為400-1500W笑氣離子態(tài)對(duì)硅的表面生成氧化硅膜；

S2：采用第一PECVD設(shè)備在氧化硅上生成氧化鋁膜，腔體環(huán)境加熱熱溫度300-400℃，功率400-1500W，通入TMA與N₂O氣體，TMA與N₂O流量比1:3-1:7，氣壓0.10-0.20mbar；

S3：采用第二PECVD設(shè)備在氧化硅與氧化鋁膜上沉積氮化硅膜，加熱溫度400-500℃，功率1000-2000W，通入SiH₄與NH₃氣體，SiH₄與NH₃流量比1:2-1:5；氣壓0.2-0.3mbar。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽(yáng)能電池背鈍化膜層的生成方法，其特征在于S2中，功率范圍為400-500W；S3中，功率范圍為1300-1700W。