[發(fā)明專利]一種壓阻式MEMS加速度芯片及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710861942.2
• 申請日: 2017-09-21
• 公開（公告）號: CN107643424B
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉智輝;李玉玲;王明偉;宋爾冬;田雷;程鑫;吳佐飛;吳紫峰;諶福華;程穎
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第四十九研究所
• 主分類號: G01P15/12
• 分類號: G01P15/12;G01P15/08
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109
• 代理人: 畢雅鳳

1.一種壓阻式MEMS加速度芯片，其特征在于，包括多條支撐梁(1)、多條敏感梁(2)、質(zhì)量塊(3)和固支框(4)；

多條支撐梁(1)的幾何尺寸相同，多條敏感梁(2)的幾何尺寸相同；

質(zhì)量塊(3)通過多條敏感梁(2)和多條支撐梁(1)的連接固定于固支框(4)中心；多條敏感梁(2)對稱式分布在質(zhì)量塊(3)與固支框(4)之間，且敏感梁(2)的上表面、質(zhì)量塊(3)的上表面和固支框(4)的上表面位于同一平面；多條支撐梁(1)對稱式分布在質(zhì)量塊(3)與固支框(4)之間，且支撐梁(1)的下表面、質(zhì)量塊(3)的下表面和固支框(4)的下表面位于同一平面；

支撐梁(1)為4條，敏感梁(2)為8條；

質(zhì)量塊(3)上表面每條邊的兩端各設(shè)有1條敏感梁(2)，敏感梁(2)與相應(yīng)邊垂直；質(zhì)量塊(3)下表面每條邊的中心各設(shè)有1條支撐梁(1)，支撐梁(1)與相應(yīng)邊垂直。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓阻式MEMS加速度芯片，其特征在于，支撐梁(1)和敏感梁(2)的長度相同、厚度相同，支撐梁(1)的寬度是敏感梁(2)寬度的2倍，質(zhì)量塊(3)上表面和下表面各邊邊長相同，且大于支撐梁(1)寬度的2倍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓阻式MEMS加速度芯片，其特征在于，還包括多個力敏電阻(5)，多個力敏電阻(5)的阻值和尺寸相同，每個敏感梁(2)上表面的兩端各設(shè)有1個力敏電阻(5)，多個力敏電阻(5)與金屬電極和引線(6)組成惠斯通電橋。