[發明專利]一種半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710861660.2
• 申請日: 2017-09-21
• 公開（公告）號: CN109545671B
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 梁凱智
• 申請（專利權）人: 上海新微技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/18
• 分類號: H01L21/18;G01L9/00
• 代理公司: 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙) 11535
• 代理人: 劉元霞

1.一種半導體器件的制造方法,其特征在于，所述制造方法包括：

在第一基片的正面形成傳感器結構；

在第二基片的正面形成第一凹陷部；

所述第一基片的正面與所述第二基片的正面結合，其中，所述第一基片與所述第一凹陷部圍合成腔體，并且，所述傳感器結構位于所述腔體的橫向區域內，其中，所述腔體的橫向區域指所述腔體在所述第一基片的正面的投影區域；

從所述第一基片的背面減薄所述第一基片，減薄后的所述第一基片成為轉移薄膜；以及

刻蝕在正面形成有所述傳感器結構的所述轉移薄膜，以在所述轉移薄膜中形成貫通所述轉移薄膜并且與所述腔體連通的貫通部，所述貫通部位于所述傳感器結構周圍。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括：

在將所述第一基片的正面與所述第二基片的正面結合之前，在所述第一基片表面形成第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述傳感器結構。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括：

在所述轉移薄膜的背面形成引線開孔；

在所述轉移薄膜的背面形成引線，所述引線經由所述引線開孔與所述傳感器結構電連接。

4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，

所述第一基片至少包括頂層、中間埋層、以及襯底層，

其中，所述傳感器結構形成于所述頂層，

從所述第一基片的背面減薄所述第一基片的步驟包括：

去除所述第一基片的所述襯底層。

5.如權利要求4所述的制造方法，其特征在于，

去除所述第一基片的所述襯底層的步驟包括：

刻蝕所述襯底層，所述刻蝕自停止于所述中間埋層。

6.一種半導體器件,其特征在于，所述半導體器件包括：

形成于第一基片的轉移薄膜的正面的傳感器結構；

形成于第二基片的正面的第一凹陷部，其中，所述轉移薄膜的正面與所述第二基片的正面結合，并且，所述轉移薄膜與所述第一凹陷部圍合成腔體，所述傳感器結構位于所述腔體的橫向區域內，其中，所述腔體的橫向區域指所述腔體在所述第一基片的正面的投影區域；以及

貫通在正面形成有所述傳感器結構的所述轉移薄膜并且與所述腔體連通的貫通部，所述貫通部位于所述傳感器結構周圍。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：

轉移薄膜的正面還形成有第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述傳感器結構，并且，所述轉移薄膜的正面與所述第二基片的正面經由所述第一絕緣層而結合。