[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝件和發(fā)光二極管模塊

在審

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• 申請日: 2017-09-21
• 公開（公告）號: CN107863336A
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金明珍;吳光龍;柳承烈
• 申請（專利權(quán)）人: 首爾半導體株式會社
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L25/13;H01L33/48;H01L33/50
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 孫昌浩,李盛泉

1.一種發(fā)光二極管封裝件，其中，包括：

外殼；

第一發(fā)光二極管芯片和第二發(fā)光二極管芯片，貼裝于所述外殼；以及

波長轉(zhuǎn)換部，包含吸收從所述第一發(fā)光二極管芯片釋放的光而釋放其他波長的光的熒光體，

所述第一發(fā)光二極管芯片相比所述第二發(fā)光二極管芯片釋放較短的波長的光，

所述熒光體以激發(fā)光譜的425nm至475nm中表現(xiàn)的最大峰值下的熒光強度即100為基準，在從所述第二發(fā)光二極管芯片釋放的光的峰值波長下具有10以下的熒光強度。

2.一種發(fā)光二極管封裝件，其中，包括：

外殼，具有第一腔室和第二腔室；

第一發(fā)光二極管芯片，貼裝于所述第一腔室內(nèi)；

第二發(fā)光二極管芯片，貼裝于所述第二腔室內(nèi)；以及

波長轉(zhuǎn)換部，布置于所述第一腔室內(nèi)，且使從所述第一發(fā)光二極管芯片釋放的光的波長轉(zhuǎn)換，

所述第一發(fā)光二極管芯片相比于所述第二發(fā)光二極管芯片釋放較短的波長的光，

從所述第二發(fā)光二極管芯片釋放的光朝向所述波長轉(zhuǎn)換部的入射被阻斷。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，

所述波長轉(zhuǎn)換部還包括分散有熒光體的透明樹脂，

所述第二腔室布置有未分散有熒光體的透明樹脂。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，

所述第一發(fā)光二極管芯片和所述第二發(fā)光二極管芯片分別釋放藍色光和綠色光。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，

所述第一發(fā)光二極管芯片釋放藍色光，

所述第二發(fā)光二極管芯片釋放綠色光，

所述波長轉(zhuǎn)換部釋放紅色光。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，

所述藍色光的峰值波長為440nm至460nm，所述綠色光的峰值波長為515nm至530nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，

所述熒光體包括由氮化物系熒光體、硫化物系熒光體、氟化物系熒光體和量子點熒光體構(gòu)成的組中選擇的任意一種或它們的組合。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，

所述熒光體為氟化物系熒光體，且以所述激發(fā)光譜的最大峰值下的熒光強度即100為基準，在從所述第二發(fā)光二極管芯片釋放的光的峰值波長下具有5以下的熒光強度。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，

所述熒光體為量子點熒光體，并包括化合物半導體組，所述化合物半導體組包含由In、Zn、S、Cd、Se和Pb構(gòu)成的組中選擇的任意一種或者它們的組合。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，

從所述波長轉(zhuǎn)換部釋放的紅色光在600nm至660nm中呈現(xiàn)三個以上的峰值。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，

由所述第一發(fā)光二極管芯片、第二發(fā)光二極管芯片和波長轉(zhuǎn)換部釋放的光的混合來形成白色光。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，

以國家電視系統(tǒng)委員會標準為基準測量的色彩飽和度為95％以上。

13.一種發(fā)光二極管模塊，其中，在基板上貼裝有根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝件。