[發明專利]氧化物半導體薄膜晶體管

在審

• 申請號: 201710858679.1
• 申請日: 2017-09-21
• 公開（公告）號: CN107749422A
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發明（設計）人: 林振國;謝志強;李建;任思雨;蘇君海;李建華
• 申請（專利權）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 葉劍

1.一種氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，在溝道層和源漏電極之間設置有半導體保護層，

所述半導體保護層為(MO)_x(NO)_y，其中，0.1<x≤0.8，0.2≤y<0.9，且x+y＝1；其中，M為Zr、Si、Hf和W中的至少一種元素，N為Zn、Ga、Ag、Ti和Cu中的至少一種元素。

2.根據權利要求1所述的氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體保護層的厚度為2nm～20nm。

3.根據權利要求2所述的氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體保護層的厚度為2nm～10nm。

4.根據權利要求1所述的氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體保護層的載流子濃度在1×10¹⁶cm^-3到1×10¹⁹cm^-3之間。

5.根據權利要求4所述的氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體保護層采用物理氣相沉積工藝、化學氣相沉積工藝或溶液制備工藝制備得到。

6.根據權利要求1所述的氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體保護層與有源層共同通過一次曝光工藝進行圖案化操作。

7.根據權利要求6所述的氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道層的材質為金屬氧化物半導體材料，所述金屬氧化物半導體材料含有In、Sn、Cu、Ti和Zn中的至少一種元素；

所述有源層為單層薄膜結構或多層薄膜結構。

8.根據權利要求1所述的氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化物半導體薄膜晶體管設置有柵極、溝道層、柵絕緣層及源漏電極，所述柵絕緣層位于所述柵極及所述溝道層之間，所述半導體保護層位于所述溝道層及所述源漏電極之間。

9.根據權利要求8所述的氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，所述源漏電極的圖案化操作采用濕法刻蝕進行，所述刻蝕液為硫酸、鹽酸、醋酸、磷酸、硝酸和鋁刻蝕液中的至少一種。