[發明專利]薄膜晶體管結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201710858336.5
• 申請日: 2017-09-21
• 公開（公告）號: CN107623042A
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發明（設計）人: 余明爵;任章淳
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)44300
• 代理人: 黃威

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種薄膜晶體管結構及其制作方法。

背景技術

隨著科技的發展，AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode，有源矩陣有機發光二極體)顯示裝置受到越來越多用戶的喜愛?，F有的AMOLED顯示裝置一般采用3T1C的AMOLED驅動電路，即三個薄膜晶體管和一個電容構成該AMOLED驅動電路。

現有AMOLED驅動電路中的薄膜晶體管由于出射光以及外界光的影響，會導致AMOLED驅動電路中的薄膜晶體管等器件工作不穩定，從而影響AMOLED顯示裝置的畫面顯示品質。

故，有必要提供一種薄膜晶體管結構及其制作方法，以解決現有技術所存在的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種可提高薄膜晶體管等器件的工作穩定性，從而提高對應AMOLED顯示裝置的畫面顯示品質的薄膜晶體管結構及其制作方法；以解決現有的薄膜晶體管結構的工作穩定性較差的技術問題。

本發明實施例提供一種薄膜晶體管結構，其包括：

玻璃基板，

緩沖層，設置在所述玻璃基板上；

金屬氧化物半導體層，設置在所述緩沖層上，并通過所述金屬氧化物半導體層設定所述薄膜晶體管結構的主動驅動區的位置，所述金屬氧化物半導體層包括源極區域、漏極區域以及溝道區域；

柵絕緣層，設置在所述金屬氧化物半導體層上，用于隔離所述金屬氧化物半導體層以及柵極金屬層；

柵極金屬層，設置在所述柵絕緣層上；

層間絕緣層，設置在具有所述柵極金屬層的玻璃基板上，用于對具有所述柵極金屬層的玻璃基板進行平坦化處理，所述層間絕緣層上設置有源極接觸孔以及漏極接觸孔；

源極金屬層，設置在所述層間絕緣層上，并通過所述源極接觸孔與所述金屬氧化物半導體層的源極區域連接；

漏極金屬層，設置在所述層間絕緣層上，并通過所述漏極接觸孔與所述金屬氧化物半導體層的漏極區域連接；以及

保護層，設置在具有所述源極金屬層和所述漏極金屬層的層間絕緣層上；

其中所述玻璃基板和緩沖層之間還設置有遮光金屬層，

所述柵絕緣層上還設置有貫通所述柵絕緣層所述緩沖層的金屬氧化物半導體層接觸孔，所述柵極金屬層通過所述金屬氧化物半導體層接觸孔與所述遮光金屬層連接。

在本發明所述的薄膜晶體管結構中，所述遮光金屬層在所述玻璃基板所在平面的投影區域覆蓋所述金屬氧化物半導體層在所述玻璃基板所在平面的投影區域。

在本發明所述的薄膜晶體管結構中，所述遮光金屬層在所述玻璃基板所在平面的投影區域覆蓋所述薄膜晶體管結構在所述玻璃基板所在平面的所有對應區域。

在本發明所述的薄膜晶體管結構中，所述遮光金屬層的厚度為500埃至2000埃；

所述緩沖層的厚度為1000埃至5000埃；

所述金屬氧化物半導體層的厚度為100埃至1000埃；

所述柵絕緣層的厚度為1000埃至3000埃；

所述層間絕緣層的厚度為2000埃至10000埃；

所述源極金屬層的厚度為2000埃至8000埃；

所述漏極金屬層的厚度為2000埃至8000埃；

所述保護層的厚度為1000埃至5000埃。

在本發明所述的薄膜晶體管結構中，所述遮光金屬層的材料為金屬鉬、金屬鋁、金屬銅以及金屬鈦中的至少一種；

所述緩沖層的材料為氧化硅以及氮化硅中的至少一種；

所述金屬氧化物半導體層的材料為氧化銦鎵鋅、氧化銦錫鋅以及氧化銦鎵鋅錫中的至少一種；

所述柵絕緣層的材料為氧化硅以及氮化硅中的至少一種；

所述金屬層的材料為金屬鉬、金屬鋁、金屬銅以及金屬鈦中的至少一種；

所述源極金屬層的材料為金屬鉬、金屬鋁、金屬銅以及金屬鈦中的至少一種；

所述漏極金屬層的材料為金屬鉬、金屬鋁、金屬銅以及金屬鈦中的至少一種；

所述層間絕緣層的材料為氧化硅以及氮化硅中的至少一種；

所述保護層的材料為氧化硅以及氮化硅中的至少一種。

本發明還提供一種薄膜晶體管結構的制作方法，其包括：

提供一玻璃基板；

在所述玻璃基板上沉積遮光金屬層，并對所述遮光金屬層進行圖像化處理；

在具有所述遮光金屬層的玻璃基板上沉積緩沖層；