[發(fā)明專利]電化學(xué)沉積裝置和X射線熒光光譜分析系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710858250.2 | 申請日: | 2017-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN109540985A | 公開(公告)日: | 2019-03-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李冬松 | 申請(專利權(quán))人: | 賽默飛世爾(上海)儀器有限公司 |
| 主分類號: | G01N27/30 | 分類號: | G01N27/30;G01N23/223 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 唐立;劉春元 |
| 地址: | 201206 上海市金*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電化學(xué)沉積裝置 光譜分析系統(tǒng) 碳基材料層 電化學(xué)沉積技術(shù) 電化學(xué)沉積 金屬元素 容器內(nèi)部 陰極電極 分析 導(dǎo)電 附著 容納 | ||
1.一種電化學(xué)沉積裝置,包括用于容納待分析液體的容器,其特征在于,在所述容器內(nèi)部或在所述容器的部分壁上固定有作為陰極電極的導(dǎo)電的碳基材料層,所述碳基材料層用于在電化學(xué)沉積的過程中附著所述待分析液體中的待分析金屬元素。
2.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)沉積裝置,其特征在于,所述碳基材料層通過貼附的方式固定于所述容器的壁的內(nèi)表面或外表面上。
3.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)沉積裝置,其特征在于,所述碳基材料層通過薄膜沉積方式固定于所述容器的壁的內(nèi)表面上。
4.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)沉積裝置,其特征在于,所述碳基材料層固定在所述容器內(nèi)部的電極載體上。
5.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)沉積裝置,其特征在于,所述碳基材料層為柔性碳基材料層。
6.如權(quán)利要求2所述的電化學(xué)沉積裝置,其特征在于,所述碳基材料層借助于第一膠帶或粘合劑貼附于所述容器的壁的內(nèi)表面或外表面上。
7.如權(quán)利要求1或5所述的電化學(xué)沉積裝置,其特征在于,所述碳基材料層通過以下碳基材料的至少一種制成:石墨、石墨烯、有機碳、碳化氮、第一高分子聚合物、碳氣凝膠。
8.如權(quán)利要求1或5所述的電化學(xué)沉積裝置,其特征在于,所述碳基材料層不含有所述待分析金屬元素的至少一種。
9.如權(quán)利要求1所述的容電化學(xué)沉積裝置,其特征在于,所述碳基材料層的厚度大于或等于50納米且小于或等于5毫米,或者大于或等于0.05毫米且小于或等于0.1毫米。
10.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)沉積裝置,其特征在于,被附著有所述金屬元素的所述碳基材料層被用于X射線熒光光譜分析。
11.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)沉積裝置,其特征在于,所述碳基材料層為在所述電化學(xué)沉積的過程中一次性地用作陰極電極。
12.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)沉積裝置,其特征在于,所述容器的基材為玻璃、石英、塑料或第二高分子聚合物。
13.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)沉積裝置,其特征在于,所述碳基材料層位于所述容器的壁的部分側(cè)壁或部分底壁上。
14.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)沉積裝置,其特征在于,所述待分析金屬元素包括Hg。
15.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)沉積裝置,其特征在于,所述碳基材料層可拆卸地固定在所述容器內(nèi)部或在所述容器的部分壁上。
16.一種柔性的導(dǎo)電的碳基材料層的用途,其中,所述碳基材料層被貼附在容器內(nèi)部的電極載體上或容器的部分壁上用作電化學(xué)沉積中的陰極電極。
17.一種X射線熒光光譜分析系統(tǒng),包括:
X射線熒光光譜分析裝置,和
如權(quán)利要求1至15中任一所述的電化學(xué)沉積裝置。
18.如權(quán)利要求17所述的X射線熒光光譜分析系統(tǒng),其特征在于,所述碳基材料層固定在所述容器的部分壁上;
其中,所述X射線熒光光譜分析裝置發(fā)射的X射線從所述容器的外側(cè)大致對準地射入所述容器的壁上的所述碳基材料層。
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