[發明專利]一種硅片處理設備及其藥液槽、藥液槽的排放方法有效
| 申請號: | 201710858023.X | 申請日: | 2017-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN107564842B | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發明(設計)人: | 左國軍;成旭 | 申請(專利權)人: | 常州捷佳創精密機械有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 深圳市康弘知識產權代理有限公司 44247 | 代理人: | 尹彥;胡朝陽 |
| 地址: | 213000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 處理 設備 及其 藥液 排放 方法 | ||
1.一種用于硅片處理設備的藥液槽,包括槽體,一端連通槽體側壁上溢流口的溢流管道,分別連通所述溢流管道另一端以及設置在槽體底部的排液口的第一排液管道,設置在第一排液管道上的排液閥,其特征在于,在槽體內距離槽底第一高度的位置處設置至少一根第二排液管道,所述第二排液管道位于槽體外的部分通過控制閥連通至第一排液管道。
2.如權利要求1所述的用于硅片處理設備的藥液槽,其特征在于,所述第一高度為當所述硅片處理設備正常工作時,藥液槽內剩余液體的體積對應的高度。
3.如權利要求1所述的用于硅片處理設備的藥液槽,其特征在于,所述第一高度滿足條件為:第一高度減去設備正常工作時藥液槽還剩液體的體積對應的高度小于溢流口的高度減去液槽初始配液時液體的體積對應的高度。
4.如權利要求1至3任意一項所述的用于硅片處理設備的藥液槽,其特征在于,所述第二排液管道的入口連接在槽體側壁上。
5.如權利要求1至3任意一項所述的用于硅片處理設備的藥液槽,其特征在于,所述第二排液管道從槽體底部伸入直至所述第一高度。
6.如權利要求1至3任意一項所述的用于硅片處理設備的藥液槽,其特征在于,所述第二排液管道從槽體頂部伸入至所述第一高度,并且所述排液管道連接一排液動力裝置。
7.采用上述任意一項權利要求所述的藥液槽的硅片處理設備。
8.如權利要求7所述的硅片處理設備,其特征在于,所述硅片處理設備為清洗設備或濕法處理設備。
9.維持如權利要求1至6任意一項所述的藥液槽內的液體濃度、溫度、體積的排放方法,當藥液槽配液完畢開始處理硅片后開啟所述控制閥,或者在開始處理硅片后,每間隔一段時間開啟所述控制閥一段時間。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于常州捷佳創精密機械有限公司,未經常州捷佳創精密機械有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710858023.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:純水設備用消毒滅菌器
- 下一篇:一種基于超濾及氧化的自來水凈化裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





