[發(fā)明專利]超大容量輸入儲能電容的浪涌電流抑制電路及抑制方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710855621.1
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107565803A
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林莊;范飛
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第四十三研究所
• 主分類號: H02M1/32
• 分類號: H02M1/32
• 代理公司: 合肥天明專利事務(wù)所(普通合伙)34115
• 代理人: 金凱

1.超大容量輸入儲能電容的浪涌電流抑制電路，其特征在于：包括延時控制單元（1）、溫度補償單元（2）、防反向放電單元（3）、電阻網(wǎng)絡(luò)單元（4）和開關(guān)單元（5）；所述延時控制單元（1）、溫度補償單元（2）、防反向放電單元（3）輸入端同與系統(tǒng)供電正相連；所述防反向放電單元（3）輸出端與大容量儲能電容Cbig的輸入端相連；所述大容量儲能電容Cbig輸出端與電阻網(wǎng)絡(luò)單元（4）和開關(guān)單元（5）輸入端相連；所述電阻網(wǎng)絡(luò)單元（4）和開關(guān)單元（5）輸出端接入系統(tǒng)供電回線；所述延時控制單元（1）第三端與溫度補償單元（2）第三端分別接入開關(guān)單元（5）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超大容量輸入儲能電容的浪涌電流抑制電路，其特征在于：所述電阻網(wǎng)絡(luò)單元（4）包括并聯(lián)的熱敏電阻Rntc與電阻Rnom。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超大容量輸入儲能電容的浪涌電流抑制電路，其特征在于：所述開關(guān)單元（5）包括前后串聯(lián)的MOS管K2與補償電阻Rcomp、與串聯(lián)的MOS管K2與補償電阻Rcomp相并聯(lián)的MOS管K1；所述延時控制單元（1）第三端接入MOS管K1，溫度補償單元（2）第三端接入MOS管K2。

4.如權(quán)利要求1所述的超大容量輸入儲能電容的浪涌電流抑制電路的抑制方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）系統(tǒng)供電開啟時，延時控制單元（1）開始延時計時；防反向放電單元（3）正向?qū)ǎ淮笕萘績δ茈娙軨big壓差由0V增長；電阻網(wǎng)絡(luò)單元（4）與大容量儲能電容Cbig串聯(lián)分壓限制電流增長速率；溫度補償單元（2）檢測環(huán)境溫度與補償溫度段比較后輸出開關(guān)控制信號如3），回路電流抑制到預(yù)定范圍，使大容量儲能電容Cbig電壓可控曲線上升；

2）系統(tǒng)供電穩(wěn)定時，大容量儲能電容Cbig電壓上升至一定幅度時延時控制單元（1）計時結(jié)束；延時控制單元（1）第三端輸出開關(guān)控制信號，MOS管K1低阻導(dǎo)通，電阻網(wǎng)絡(luò)單元（4）被短接，回路穩(wěn)態(tài)功耗降低，浪涌電流抑制結(jié)束；

3）當(dāng)溫度補償單元（2）的輸出打開開關(guān)信號時，MOS管K2低阻導(dǎo)通，電阻網(wǎng)絡(luò)單元（4）與補償電阻Rcomp相并聯(lián)，再與大容量儲能電容Cbig相串聯(lián)；無輸出打開開關(guān)信號時，MOS管K2關(guān)閉，電阻網(wǎng)絡(luò)單元（4）與大容量儲能電容Cbig相串聯(lián)。