[發明專利]一種用于板條激光器諧振腔全反射面的薄膜結構有效
| 申請號： | 201710855096.3 | 申請日： | 2017-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN107863675B | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發明（設計）人： | 王占山;程鑫彬;焦宏飛;張錦龍;馬彬;劉斐 | 申請（專利權）人： | 同濟大學 |
| 主分類號： | H01S3/08 | 分類號： | H01S3/08;G02B1/10 |
| 代理公司： | 上海科盛知識產權代理有限公司 31225 | 代理人： | 翁惠瑜 |
| 地址： | 200092 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 板條 激光器 諧振腔 全反射 薄膜 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于板條激光器諧振腔全反射面的薄膜結構，包括板條基板和SiO2薄膜，其特征在于，所述板條基板和SiO2薄膜間設置有一層高折射率混合材料HfxSi1-xO2薄膜，所述HfxSi1-xO2薄膜的厚度為200～300nm，所述HfxSi1-xO2薄膜為經退火處理的薄膜，所述SiO2薄膜的厚度大于2μm。
2.根據權利要求1所述的用于板條激光器諧振腔全反射面的薄膜結構，其特征在于，所述HfxSi1-xO2薄膜的厚度為250nm。
3.根據權利要求1所述的用于板條激光器諧振腔全反射面的薄膜結構，其特征在于，所述HfxSi1-xO2薄膜在1064nm波長的折射率為1.83～1.93。
4.根據權利要求1所述的用于板條激光器諧振腔全反射面的薄膜結構，其特征在于，所述HfxSi1-xO2薄膜的制備工藝為離子束輔助沉積工藝。
5.根據權利要求1所述的用于板條激光器諧振腔全反射面的薄膜結構，其特征在于，所述退火處理過程中，退火溫度為500℃～600℃。
6.根據權利要求1所述的用于板條激光器諧振腔全反射面的薄膜結構，其特征在于，所述板條基板的材料為Nd:YAG晶體。
7.一種板條激光器諧振腔，其特征在于，包括如權利要求1所述的用于板條激光器諧振腔全反射面的薄膜結構。
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