[發明專利]一種高效防護且便于使用的場效應管在審
| 申請號: | 201710854878.5 | 申請日: | 2017-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN107706169A | 公開(公告)日: | 2018-02-16 |
| 發明(設計)人: | 劉玉民 | 申請(專利權)人: | 長興三通能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488;H01L23/06;H01L23/02;H01L29/772 |
| 代理公司: | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司11246 | 代理人: | 李開騰,連圍 |
| 地址: | 313100 浙江省湖州市長*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高效 防護 便于 使用 場效應 | ||
1.一種高效防護且便于使用的場效應管,包括場效應管外殼體(1),其特征在于:所述場效應管外殼體(1)的前表壁上嵌入安裝有熒光板(19),且場效應管外殼體(1)的內部設置有P型半導體(2)、氧化物(3)、金屬(4)、第一N型半導體(5)和第二N型半導體(18)。
2.根據權利要求1所述的一種高效防護且便于使用的場效應管,其特征在于:所述氧化物(3)和金屬(4)均嵌入安裝在P型半導體(2)的內部,所述金屬(4)安裝在氧化物(3)的下方,所述第一N型半導體(5)和第二N型半導體(18)均嵌入在金屬(4)的內部,且第一N型半導體(5)和柵極凹槽(8)均由金屬(4)內部向外延伸至P型半導體(2)的內部。
3.根據權利要求1所述的一種高效防護且便于使用的場效應管,其特征在于:所述場效應管外殼體(1)的底部靠近第二N型半導體(18)的下方位置處開設有漏極凹槽(17),且場效應管外殼體(1)的底部靠近漏極伸縮罩(14)的下方位置處開設有柵極凹槽(8),所述場效應管外殼體(1)的底部靠近第一N型半導體(5)的下方開設有源極凹槽(6)。
4.根據權利要求3所述的一種高效防護且便于使用的場效應管,其特征在于:所述漏極凹槽(17)的內部焊接有漏極焊點(16),所述金屬(4)的內部焊接有柵極焊點(15),所述第一N型半導體(5)的內部焊接有源極焊點(7)。
5.根據權利要求4所述的一種高效防護且便于使用的場效應管,其特征在于:所述漏極焊點(16)的下方焊接固定有漏極(13),所述柵極焊點(15)的下方焊接固定有柵極(11),所述源極焊點(7)的下方焊接固定有源極(10)。
6.根據權利要求5所述的一種高效防護且便于使用的場效應管,其特征在于:所述漏極(13)的外部套設有漏極伸縮罩(14),所述漏極伸縮罩(14)的頂端與漏極凹槽(17)固定,所述柵極(11)的外部套設有柵極伸縮罩(12),所述柵極伸縮罩(12)的頂端與柵極凹槽(8)固定,所述源極(10)的外部套設有源極伸縮罩(9),所述源極伸縮罩(9)的頂端與源極凹槽(6)固定。
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