[發明專利]半導體晶圓加工方法、系統及系統的清潔方法

有效

• 申請號: 201710854745.8
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN109524286B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 李宗彥;盧玟銨;郭爵旗;許哲彰;周佳信;傅中其;陳立銳;鄭博中
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/32
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

本公開實施例提供一種半導體晶圓加工方法、系統及系統的清潔方法。上述半導體晶圓加工系統的清潔方法包括在一真空腔室中，將一清潔裝置放置于一掩模靜電座上方。通過上述掩模靜電座將上述清潔裝置的一聚合物材料層吸附于上述掩模靜電座。當上述清潔裝置吸附于上述掩模靜電座且經過一第一時間時，將上述清潔裝置與上述掩模靜電座分離。

技術領域

本發明實施例涉及一種半導體晶圓加工系統的清潔方法，特別涉及掩模靜電座的清潔方法。

背景技術

半導體集成電路(IC)產業已快速成長一段時日。IC材料與設計的技術進步，使每一代的IC比前一代的IC更小且其電路更復雜。新一代的IC具有較大的功能密度(比如固定芯片面積中的內連線元件數目)，與較小的尺寸 (比如制程形成的最小構件或連線)。制程尺寸縮小往往有利于增加制程效率并降低相關成本。制程尺寸縮小會增加制程復雜度，但制程尺寸縮小的優點顯而易見，因此需要更小的IC制程。舉例來說，對高分辨率光刻制程的需求持續成長。

光刻技術之一為極紫外光(EUV)光刻技術。極紫外光光刻技術利用極紫外光曝光掩模，以于基板上形成圖案。一般而言，極紫外光光刻技術所用的掩模稱作極紫外光(EUV)掩模，而極紫外光光刻技術所用的光波長介于約 1nm至約100nm之間。

現有的光刻技術通常適用于特定目的，而無法用于所有領域。舉例來說，重復使用極紫外光刻制程中的極紫外光掩模將產生一些問題。

發明內容

本發明實施例提供一種半導體晶圓加工系統的清潔方法。上述半導體晶圓加工系統的清潔方法包括在一真空腔室中，將一清潔裝置放置于一掩模靜電座上方。上述半導體晶圓加工系統的清潔方法還包括通過上述掩模靜電座將上述清潔裝置的一聚合物材料層吸附于上述掩模靜電座。上述半導體晶圓加工系統的清潔方法還包括當上述清潔裝置吸附于上述掩模靜電座且經過一第一時間時，將上述清潔裝置與上述掩模靜電座分離。

本發明實施例提供一種半導體晶圓加工方法。上述半導體晶圓加工方法包括在一真空腔室中，將一清潔裝置放置于一掩模靜電座上方。上述半導體晶圓加工方法還包括通過上述掩模靜電座將上述清潔裝置的一聚合物材料層吸附于上述掩模靜電座。上述半導體晶圓加工方法還包括當上述清潔裝置吸附于上述掩模靜電座后，將一半導體晶圓放置于一晶圓座上方。上述半導體晶圓加工方法又包括對上述半導體晶圓進行一第一半導體制程。上述半導體晶圓加工方法再包括進行上述第一半導體制程之后，將上述清潔裝置與上述掩模靜電座分離，且將上述半導體晶圓與上述晶圓座分離。

本發明實施例提供一種半導體晶圓加工系統。上述半導體晶圓加工系統包括一真空腔室、一第一清潔裝置、一掩模靜電座、一傳送裝置和一控制器。上述第一清潔裝置設置于上述真空腔室內。上述第一清潔裝置包括一第一基板、一反射結構、一保護層、一吸收層、一導電層和一第一聚合物材料層。上述第一基板的材質包括一低熱膨脹材料。上述反射結構設置于上述基板的一前側表面上方。上述保護層設置于上述反射結構上方。上述吸收層設置于上述保護層上方。上述導電層設置于上述基板的一后側表面上方。上述第一聚合物材料層，設置于上述導電層上方。上述掩模靜電座設置于上述真空腔室內。上述傳送裝置設置于上述真空腔室內以選擇性地將上述第一清潔裝置放置于上述掩模靜電座上方。上述控制器設置于上述真空腔室內以控制上述掩模靜電座與上述傳送裝置。上述掩模靜電座通過靜電吸附上述第一清潔裝置。

附圖說明

圖1A、圖1B為依據一些實施例的半導體晶圓加工系統的清潔裝置的示意圖。

圖2為依據一些實施例的半導體晶圓加工系統的方框圖。

圖3A為依據一些實施例的半導體晶圓加工系統的掩模靜電座的俯視示意圖。

圖3B為沿圖3A的A-A’切線的剖面圖，其顯示依據一些實施例的半導體晶圓加工系統的掩模靜電座的剖面示意圖。

圖4為依據一些實施例的半導體晶圓加工系統的反射掩模的示意圖。