[發明專利]一種雙外延超級勢壘整流器

在審

• 申請號: 201710854731.6
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107946375A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 陳文鎖;張培健;劉建;王飛;歐宏旗;鐘怡;黃彬
• 申請（專利權）人: 重慶中科渝芯電子有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872
• 代理公司: 重慶大學專利中心50201
• 代理人: 王翔

1.一種雙外延超級勢壘整流器，其特征在于：包括下電極層(10)、重摻雜第一導電類型襯底層(20)、輕摻雜第一導電類型外延層(30)、第一導電類型第二外延層(31)、第二導電類型體區(32)、柵介質層(41)、柵電極層(42)、肖特基接觸區(43)和上電極層(50)；

所述重摻雜第一導電類型襯底層(20)覆蓋于下電極層(10)之上；

所述輕摻雜第一導電類型外延層(30)覆蓋于重摻雜第一導電類型襯底層(20)之上；

所述第一導電類型第二外延層(31)覆蓋于輕摻雜第一導電類型外延層(30)之上；

所述第二導電類型體區(32)覆蓋于輕摻雜第一導電類型第二外延層(31)之上的部分表面；

所述肖特基接觸區(43)覆蓋于第二導電類型體區(32)之上的部分表面；

所述柵介質層(41)覆蓋于第一導電類型第二外延層(31)之上；第二導電類型體區(32)之上的部分表面、肖特基接觸區(43)之上的部分表面；

所述柵電極層(42)覆蓋于柵介質層(41)之上；

所述上電極層(50)覆蓋于柵電極層(42)和肖特基接觸區(43)之上的部分表面。

2.一種雙外延超級勢壘整流器，其特征在于：包括下電極層(10)、重摻雜第一導電類型襯底層(20)、輕摻雜第一導電類型外延層(30)、第一導電類型第二外延層(31)、第二導電類型體區(32)、重摻雜第二導電類型源區(33)、重摻雜第一導電類型源區(34)、柵介質層(41)、柵電極層(42)和上電極層(50)；

所述重摻雜第一導電類型襯底層(20)覆蓋于下電極層(10)之上；

所述輕摻雜第一導電類型外延層(30)覆蓋于重摻雜第一導電類型襯底層(20)之上；

所述第一導電類型第二外延層(31)覆蓋于輕摻雜第一導電類型外延層(30)之上；

所述第二導電類型體區(32)覆蓋于第一導電類型第二外延層(30)之上的部分表面；

所述重摻雜第二導電類型源區(33)和重摻雜第一導電類型源區(34)均覆蓋于第二導電類型體區(32)之上的部分表面；

所述柵介質層(41)覆蓋于第一導電類型第二外延層(31)之上的部分表面、第二導電類型體區(32)之上的部分表面、重摻雜第一導電類型源區(34)之上的部分表面；

所述柵電極層(42)覆蓋于柵介質層(41)之上；

所述上電極層(50)覆蓋于柵電極層(42)、重摻雜第二導電類型源區(33)之上，所述上電極層(50)還覆蓋于重摻雜第一導電類型源區(34)之上的部分表面。

3.根據權利要求1或2所述的一種雙外延超級勢壘整流器，其特征在于：還包括第二導電類型保護環及結終端區，所述第二導電類型保護環及結終端區為閉合狀的環形結構；環形包圍的中間區域為有源區。

4.根據權利要求1或2所述的一種雙外延超級勢壘整流器，其特征在于：所述第二導電類型體區(32)由一個或多個重復的結構單元構成；所述第二導電類型體區(32)位于有源區內部；位于有源區邊緣的結構單元與所述第二導電類型保護環及結終端區可以接觸，也可以不接觸。

5.根據權利要求1或2所述的一種雙外延超級勢壘整流器，其特征在于：所述柵介質層(41)的材料包括二氧化硅材料或者氮氧化硅；所述柵電極層(42)的材料包括摻雜多晶硅。