[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710854658.2
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN109524457B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何萬迅;梅奎;邢溯
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體裝置，包括一基板、一主動層、一接觸區(qū)以及一柵極結(jié)構(gòu)。主動層配置于基板之上，且主動層具有一源極區(qū)及一漏極區(qū)。接觸區(qū)配置于基板之上。柵極結(jié)構(gòu)配置于主動層之上，其中柵極結(jié)構(gòu)包括一中間部分及一側(cè)邊部分，側(cè)邊部分連接于中間部分，且側(cè)邊部分是蛇型。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，且特別是涉及一種硅晶絕緣體(SOI)的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

近年來，由于硅晶絕緣體(Silicon On Insulator,SOI)的半導(dǎo)體裝置具備低功耗及高效能的優(yōu)點，需求更是日益增加。在半導(dǎo)體裝置的制造過程中，會將摻雜物施加于此硅晶絕緣體的半導(dǎo)體裝置的柵極中。然而，當(dāng)過多的摻雜物擴散至半導(dǎo)體裝置的柵極工作部分(垂直部分)時，此半導(dǎo)體裝置的效能會變差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置，其柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)邊部分為蛇型(上下各一)，具有多個彎折部分，因此在對半導(dǎo)體裝置進行摻雜的過程中，同等尺寸要求下，能夠延長摻雜物擴散進入柵極結(jié)構(gòu)的路徑，防止高濃度的摻雜物快速擴散至柵極結(jié)構(gòu)的工作部分，降低摻雜物對于柵極的工作區(qū)的干擾，進而提升半導(dǎo)體裝置的效能。

根據(jù)本發(fā)明，提出一種半導(dǎo)體裝置。此半導(dǎo)體裝置包括一基板、一主動層、一接觸區(qū)以及一柵極結(jié)構(gòu)。主動層配置于基板之上，且主動層具有一源極區(qū)及一漏極區(qū)。接觸區(qū)配置于基板之上。柵極結(jié)構(gòu)配置于主動層之上，其中柵極結(jié)構(gòu)包括一中間部分及一側(cè)邊部分，側(cè)邊部分連接于中間部分，且側(cè)邊部分是蛇型。

為了對本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實施例，并配合附圖詳細(xì)說明如下：

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體裝置上視圖；

圖2A為沿著圖1的半導(dǎo)體裝置的A-A連線的剖視圖；

圖2B為沿著圖1的半導(dǎo)體裝置的B-B連線的剖視圖；

圖2C為沿著圖1的半導(dǎo)體裝置的C-C連線的剖視圖。

具體實施方式

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，其柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)邊部分為蛇型，具有多個彎折部分，因此在對半導(dǎo)體裝置進行摻雜以形成工作器件的過程中，能夠延長摻雜物擴散進入柵極結(jié)構(gòu)的中間部分的路徑，防止高濃度的摻雜物由于退火處理而快速擴散至柵極結(jié)構(gòu)的中間部分，降低摻雜物對于柵極的工作區(qū)的干擾，進而提升半導(dǎo)體裝置的效能。

圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體裝置100上視圖。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置100可應(yīng)用于P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)或N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)。

圖2A繪示沿著圖1的半導(dǎo)體裝置的A-A連線的剖視圖。

請同時參照圖1及圖2A，在基板110上形成由絕緣層120及主動層142所構(gòu)成的硅晶絕緣體(Silicon On Insulator,SOI)層之后，可在硅晶絕緣體層上形成柵極結(jié)構(gòu)160。形成柵極結(jié)構(gòu)160之后，可在硅晶絕緣體層上形成接觸區(qū)146。

基板110可以是P型硅基板。絕緣層120可以是氧化硅層，內(nèi)埋于基板110與主動層142之間。主動層142配置于基板110之上，可具有源極區(qū)142S及漏極區(qū)142D。源極區(qū)142S及漏極區(qū)142D分別摻雜有第一導(dǎo)電型的摻雜物，例如是P型。接觸區(qū)146配置于基板110之上，可摻雜有第二導(dǎo)電型的摻雜物，例如是N型。源極區(qū)142S及漏極區(qū)142D的導(dǎo)電型是不同于接觸區(qū)146的導(dǎo)電型。柵極結(jié)構(gòu)160配置于主動層142上，可由多晶硅所形成，且厚度在50nm～250nm的范圍中。其中，柵極結(jié)構(gòu)160與主動層142之間可具有一氧化層(未繪示)，亦即是氧化層可配置于主動層142上，柵極結(jié)構(gòu)160可配置于氧化層上。