[發(fā)明專利]表面有機物膜的清除方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710854199.8
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107665812A
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 翟海雷
• 申請（專利權(quán)）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;G01N1/32
• 代理公司: 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31294
• 代理人: 孫佳胤,董琳

1.一種表面有機物膜的清除方法，其特征在于，包括：

提供一芯片樣品，所述芯片樣品表面具有含碳鏈的有機物膜；

采用反應(yīng)離子刻蝕工藝，對所述芯片樣品表面進行清除處理，去除所述有機物膜，所述反應(yīng)離子刻蝕工藝的刻蝕時間為5s～35s，刻蝕氣體為含氧氣體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面有機物膜的清除方法，其特征在于，所述反應(yīng)離子刻蝕工藝的工藝真空度為40mT～80mT；刻蝕氣體流量為80sccm～110sccm；射頻功率為100W～500W。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面有機物膜的清除方法，其特征在于，所述刻蝕氣體包括O₂、O₃、H₂O以及CO₂中的一種或多種氣體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面有機物膜的清除方法，其特征在于，根據(jù)芯片樣品被電鏡電子掃描的時間，調(diào)整刻蝕時間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的表面有機物膜的清除方法，其特征在于，若芯片樣品被電鏡電子掃描的時間在閾值時間以下，則刻蝕時間采用第一時間；若芯片樣品被電鏡掃描的時間超過閾值時間，則刻蝕時間采用第二時間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面有機物膜的清除方法，其特征在于，所述第一時間范圍為5s～15s；所述第二時間范圍為16s～35s。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面有機物膜的清除方法，其特征在于，在對芯片樣品表面進行一次清除處理之后，檢查芯片樣品表面是否還有有機物膜殘留，若有，則再次進行所述清除處理。