[發(fā)明專利]柔性顯示器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710853965.9 | 申請日: | 2017-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN107871750B | 公開(公告)日: | 2021-08-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 尹相天;權世烈;權會容;金恩雅 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 顯示器 | ||
公開了一種柔性顯示器。該柔性顯示器包括位于塑料基板上的氧化物半導體薄膜晶體管,所述柔性顯示器包括:第一緩沖層,該第一緩沖層設置在所述塑料基板上;第二緩沖層,該第二緩沖層設置在所述第一緩沖層上并且由硅氧化物(SiOx)形成;以及有源層,該有源層設置在所述第二緩沖層上并且由氧化物半導體形成,其中,所述第一緩沖層包括:下層,該下層與所述塑料基板直接接觸并且由硅氮化物(SiNx)形成;以及上層,該上層設置在所述下層上并且由SiOx形成。
技術領域
本公開涉及柔性顯示器。
背景技術
隨著信息社會的發(fā)展,對于顯示圖像的顯示裝置的需求以各種方式增加。在顯示裝置的領域中,大尺寸陰極射線管(CRT)已經被具有外形薄、重量輕和屏幕尺寸大的優(yōu)點的平板顯示器(FPD)迅速地替代。平板顯示器的示例包括液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)、有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器和電泳顯示器(EPD)。
OLED顯示器包括能夠自己發(fā)光的自發(fā)光元件,并且具有響應時間快、發(fā)光效率高、亮度高和視角寬的優(yōu)點。特別地,OLED顯示器可以使用柔性塑料基板。此外,與等離子體顯示面板或無機電致發(fā)光顯示器相比,OLED顯示器具有更低的驅動電壓、更低的功耗和更好的色調的優(yōu)點。
OLED顯示器可以在柔性塑料基板上包括多個緩沖層。在OLED顯示器的制造過程中,多個緩沖層阻擋從緩沖層下方的塑料基板擴散的離子或雜質。此外,在完成OLED顯示器之后,多個緩沖層阻止外部濕氣經由塑料基板滲透,從而防止薄膜晶體管和有機發(fā)光二極管劣化。
然而,由于構成緩沖層的材料的特性,緩沖層影響與緩沖層相鄰的組件,從而降低了組件的特性。例如,緩沖層可以包括硅氮化物(SiNx)。當薄膜晶體管包括氧化物半導體時,存在于緩沖層的硅氮化物中的氫氣擴散并降低了氧化物半導體的電特性。
發(fā)明內容
本公開在于提供能夠防止?jié)駳饨浻伤芰匣鍧B透的顯示裝置。
本公開還提供了能夠防止氧化物半導體的電特性由于構成緩沖層的硅氮化物層而降低的柔性顯示器。
在一個方面,提供了一種柔性顯示器,該柔性顯示器包括位于塑料基板上的氧化物半導體薄膜晶體管,所述柔性顯示器包括:第一緩沖層,該第一緩沖層設置在所述塑料基板上;第二緩沖層,該第二緩沖層設置在所述第一緩沖層上并且由硅氧化物(SiOx)形成;以及有源層,該有源層設置在所述第二緩沖層上并且由氧化物半導體形成,其中,所述第一緩沖層包括:下層,該下層與所述塑料基板直接接觸并且由硅氮化物(SiNx)形成;以及上層,該上層設置在所述下層上并且由SiOx形成。
所述下層的厚度等于或大于所述上層的厚度。
所述下層包括彼此分離的第一下層和第二下層。
所述第一下層具有比所述第二下層的密度相對高的密度。
所述柔性顯示器還包括遮光層,該遮光層設置在所述第一緩沖層和所述第二緩沖層之間并且與所述有源層交疊。
附圖說明
附圖被包括進來以提供本公開的進一步理解,并且被并入本說明書且構成本說明書的一部分,附圖例示了本公開的實施方式,并且與本說明書一起用來解釋本公開的原理。在附圖中:
圖1是根據(jù)本公開的實施方式的柔性顯示器的示意性框圖;
圖2例示了子像素的電路構造的第一示例;
圖3例示了子像素的電路構造的第二示例;
圖4是根據(jù)本公開的實施方式的柔性顯示器的橫截面圖;
圖5示意性地例示了根據(jù)本公開的實施方式的第一緩沖層的構造;
圖6示意性地例示了根據(jù)本公開的另一實施方式的第一緩沖層的構造;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





