[發明專利]一種低導熱率非導體材料高溫半球發射率測量方法與系統

有效

• 申請號: 201710853728.2
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107655833B
• 公開（公告）日: 2020-01-21
• 發明（設計）人: 邱超;李世偉;孫紅勝;何立平;宋春暉;杜繼東
• 申請（專利權）人: 北京振興計量測試研究所
• 主分類號: G01N21/17
• 分類號: G01N21/17;G01N21/25
• 代理公司: 11386 北京天達知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 龔頤雯;王一

1.一種低導熱率非導體材料高溫半球發射率測量方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、測量被測樣品(3)的常溫半球發射率；

S2、測量被測樣品(3)的常溫法向發射率；

S3、測量被測樣品(3)的高溫法向發射率；

S4、通過被測樣品(3)的常溫半球發射率、常溫法向發射率、高溫法向發射率，得到被測樣品(3)的高溫半球發射率；

所述步驟S1中，常溫半球發射率包括：常溫半球光譜發射率ε_λsh、常溫半球積分發射率ε_sh；

所述步驟S2中，常溫法向發射率包括：常溫法向光譜發射率ε_λsn、常溫法向積分發射率ε_sn；

所述步驟S3中，高溫法向發射率包括：高溫法向光譜發射率ε_λsnh、高溫法向積分發射率ε_snh；

所述步驟S4中，高溫半球發射率包括：高溫半球光譜發射率、高溫半球積分發射率；

所述步驟S4具體為：

被測樣品(3)的高溫半球光譜發射率ε_λshh為：

被測樣品(3)的高溫半球積分發射率ε_shh為：

2.根據權利要求1所述的低導熱率非導體材料高溫半球發射率測量方法，其特征在于，所述步驟S1具體為：

將被測樣品(3)放置在積分球(2)的內表面，打開寬波段平行光源(1)，并保證寬波段平行光源(1)照射被測樣品(3)的方向與被測樣品(3)的法向夾角為8°，啟動積分球傅里葉光譜儀(4)，收集被測樣品(3)漫反射光束經積分球(2)勻化后的能量，獲取測量光譜能量E_λsh；將標準反射率試樣放置在積分球(2)的內表面，打開寬波段平行光源(1)，啟動積分球傅里葉光譜儀(4)，獲取測量光譜能量E_λbh；

則被測樣品(3)的常溫半球光譜發射率ε_λsh為：

式中，ρ_λbh為標準反射率試樣半球光譜反射率；

被測樣品(3)的常溫半球積分發射率ε_sh為：

式中，L(λ)為理想黑體光譜輻射亮度，λ₁為測量過程中波長的下限，λ₂為測量過程中波長的上限。

3.根據權利要求2所述的低導熱率非導體材料高溫半球發射率測量方法，其特征在于，所述步驟S2具體為：

將被測樣品(3)放置在加熱型積分球(5)內表面，加熱型積分球(5)熱輻射漫入射至被測樣品(3)表面，同時啟動被測樣品(3)的非測量面的主動制冷結構，啟動加熱積分球傅里葉光譜儀(7)，收集被測樣品(3)法向發射光束的能量，獲取測量光譜能量E_λsn；將標準反射率試樣放置在加熱型積分球(5)內表面，加熱型積分球(5)熱輻射漫入射至被測樣品(3)表面，同時啟動被測樣品(3)的非測量面的主動制冷結構，啟動加熱積分球傅里葉光譜儀(7)，收集被測樣品(3)法向發射光束的能量，獲取測量光譜能量E_λbn；

則被測樣品(3)的常溫法向光譜發射率ε_λsn為：

式中，ρ_λbn為標準反射率試樣法向光譜反射率；

被測樣品(3)的常溫法向積分發射率ε_sn為：

式中，L(λ)為理想黑體光譜輻射亮度，λ₁為測量過程中波長的下限，λ₂為測量過程中波長的上限。