[發(fā)明專利]一種磁控性憶阻器電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710853714.0
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN109524040A
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王波;鄒富成
• 申請（專利權(quán)）人: 西華大學(xué)
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明公開了一種磁控性憶阻器電路，由輸入口、第一磁鏈控制電路、第二磁鏈控制電路和第三磁鏈控制電路組成；第一磁鏈控制電路包括電容C5、電流反饋型放大器U11、U12、放大器U13、U14、電阻R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、光耦開關(guān)G1、電阻Ra1；第二磁鏈控制電路包括電容C4、電流反饋型放大器U21、U22、放大器U23、U24、電阻R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、光耦開關(guān)G2、電阻Ra2、Rb2；第三磁鏈控制電路包括電容C3、電流反饋型放大器U31、U32、放大器U33、U34、電阻R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37、光耦開關(guān)G3、電阻Ra3、Rb3；本發(fā)明公開了一種磁控性憶阻器電路，具有獨特的V?I曲線特性，可以減小對經(jīng)典憶阻器電路的過分依賴。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明專利涉及電路領(lǐng)域，特別是涉及一種磁控性憶阻器電路。

背景技術(shù)

憶阻器被認(rèn)為是第4種基本無源器件，由于技術(shù)的制約，當(dāng)前憶阻器還達(dá)不到商品化程度，人們試圖通過電路去研究憶阻器特性。當(dāng)前憶阻器電路的V-I特性曲線主要呈光滑遲滯型，如何設(shè)計出具有不同V-I曲線特性的憶阻器電路具有重要研究意義，可以擴展憶阻器電路庫，減小對數(shù)量稀少的幾種經(jīng)典憶阻器電路的過分依賴。

發(fā)明內(nèi)容

為解決背景技術(shù)提到的現(xiàn)有憶阻器的缺陷，提出了一種磁控性憶阻器電路，由輸入口、第一磁鏈控制電路、第二磁鏈控制電路和第三磁鏈控制電路組成。

第一磁鏈控制電路包括電容C5、電流反饋型放大器U11、電流反饋型放大器U12、放大器U13、放大器U14、電阻R11、電阻R12、電阻R13、電阻R14、電阻R15、電阻R16、電阻R17、光耦開關(guān)G1、電阻Ra1；

第二磁鏈控制電路包括電容C4、電流反饋型放大器U21、電流反饋型放大器U22、放大器U23、放大器U24、電阻R21、電阻R22、電阻R23、電阻R24、電阻R25、電阻R26、電阻R27、光耦開關(guān)G2、電阻Ra2、電阻Rb2；

第三磁鏈控制電路包括電容C3、電流反饋型放大器U31、電流反饋型放大器U32、放大器U33、放大器U34、電阻R31、電阻R32、電阻R33、電阻R34、電阻R35、電阻R36、電阻R37、光耦開關(guān)G3、電阻Ra3、電阻Rb3。

所述第一磁鏈控制電路的電阻R11與輸入口的A端相連；電阻R11的另一端接電流反饋放大器U12的反向端；電流反饋放大器U12的輸出端與電阻R12相連；電流反饋放大器U12的正相端接地；電流反饋放大器U12的反向端通過R15與電流反饋放大器U11的輸出端相連；電流反饋放大器U11的正相端接地；電流反饋放大器U11的反向端通過R14與電阻R12相連；電阻R12通過電容C5串聯(lián)連后接地；放大器U13的正相端與U14的正相端相連，然后與電容C5的正極相連；放大器U13的輸出端與放大器U14的輸出端相連，然后與光耦G1的g1端相連；直流5v電壓源通過R17與光耦G1的g1端相連; 光耦G1的g2端接地；放大器U13的反向端與直流電源正2V相連；放大器U14的反向端接直流電源負(fù)2V；電阻Ra1一端與憶阻器A端相連，另一端與光耦G1的g3端相連；光耦G1的g3端與所述第二磁鏈控制電路的中光耦開關(guān)G2的g4端。