[發(fā)明專利]低溫多晶硅薄膜晶體管及其制備方法和陣列基板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710853687.7
• 申請(qǐng)日: 2017-09-20
• 公開（公告）號(hào): CN107507869A
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李松杉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,熊永強(qiáng)

1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

提供基板，在所述基板上依次形成緩沖層、低溫多晶硅層、源極接觸區(qū)、漏極接觸區(qū)、柵極絕緣層、柵極層和介電層，所述源極接觸區(qū)和所述漏極接觸區(qū)與所述低溫多晶硅層同層設(shè)置，且分別設(shè)置在所述低溫多晶硅層相對(duì)的兩端；

通過干法刻蝕分別形成貫穿所述介電層和所述柵極絕緣層的第一接觸孔和第二接觸孔，以分別將所述源極接觸區(qū)和所述漏極接觸區(qū)暴露；其中，所述干法刻蝕采用的刻蝕氣體包括含氟氣體和氫氣；

在所述介電層上形成通過所述第一接觸孔與所述源極接觸區(qū)相接的源極，以及形成通過所述第二接觸孔與所述漏極接觸區(qū)相接的漏極。

2.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述含氟氣體包括CF₄和SF₆中的至少一種。

3.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述含氟氣體與所述氫氣的流量比為5-15:1。

4.如權(quán)利要求3所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述含氟氣體與所述氫氣的流量比為10:1。

5.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述含氟氣體的流量為100-500sccm。

6.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述干法刻蝕過程中：氣壓為30-50mtorr，氣體源功率為400-800W，偏置電壓為100-200V。

7.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述柵極絕緣層的材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一種，所述柵極絕緣層的厚度為所述介電層的材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一種，所述介電層的厚度為

8.一種低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制備方法制備而成。

9.如權(quán)利要求8所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，所述源極在所述源極接觸區(qū)中與所述低溫多晶硅層的遠(yuǎn)離所述緩沖層的表面接觸，所述漏極在所述漏極接觸區(qū)中與所述低溫多晶硅層的遠(yuǎn)離所述緩沖層的表面接觸。

10.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求8或9所述的低溫多晶硅薄膜晶體管。