[發明專利]一種太赫茲波吸收結構有效
| 申請號： | 201710853667.X | 申請日： | 2017-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN109521504B | 公開（公告）日： | 2021-02-05 |
| 發明（設計）人： | 賴耘;羅杰 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 北京智匯東方知識產權代理事務所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 康正德;薛峰 |
| 地址： | 215006 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 赫茲 吸收 結構 | ||
1.一種太赫茲波吸收結構，其特征在于，由以下各層組成：
多層第一材料層，
多層第二材料層，其與所述多層第一材料層交替排列，以形成層數為奇數的奇數疊層，所述奇數疊層的最外兩層材料層均為所述第一材料層，所述第一材料層的折射率大于所述第二材料層的折射率；
第一和第二外層，其分別與所述最外兩層材料層相鄰布置；
其中，所述第一材料層和/或所述第二材料層的材料選擇為光吸收材料，所述第一和第二外層的折射率選擇成與所述第二材料層的折射率相同或相近，且所述第一和第二外層的厚度均是所述第二材料層的厚度的45％-50％。
2.根據權利要求1所述的太赫茲波吸收結構，其特征在于，所述第一和第二外層的厚度均是所述第一材料層的厚度的50％。
3.根據權利要求1所述的太赫茲波吸收結構，其特征在于，所述第一材料層的厚度為1-5μm，所述第二材料層的厚度為5-10μm。
4.根據權利要求1所述的太赫茲波吸收結構，其特征在于，所述第一和第二外層的材料相同或不同。
5.根據權利要求1所述的太赫茲波吸收結構，其特征在于，所述第一和第二外層的材料均選擇成與所述第二材料層的材料相同。
6.根據權利要求1所述的太赫茲波吸收結構，其特征在于，所述奇數疊層的層數小于或等于一預設層數。
7.根據權利要求1-6中任一項所述的太赫茲波吸收結構，其特征在于，所述太赫茲波吸收結構對具有0-80°入射角的橫電波的吸收率大于或等于99％。
8.根據權利要求1-6中任一項所述的太赫茲波吸收結構，其特征在于，所述太赫茲波吸收結構對具有0-40°入射角的橫磁波的吸收率大于或等于99％。
9.根據權利要求1-6中任一項所述的太赫茲波吸收結構，其特征在于，所述太赫茲波吸收結構對具有40-70°入射角的橫磁波的吸收率大于80％。
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