[發明專利]半導體組件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710853522.X
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN109524302B
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 李書銘;歐陽自明;曾科博
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/3213
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種半導體組件的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成芯部結構；

在所述襯底上形成第一材料層，其中所述第一材料層的頂面低于所述芯部結構的頂面；

在所述芯部結構的暴露出的表面形成第二圖案，其中形成所述第二圖案的方法包括于所述芯部結構的暴露出的表面以及所述第一材料層的表面形成第二材料層，且對所述第二材料層進行非等向性蝕刻以形成所述第二圖案，所述第二材料層在所述芯部結構的所述頂面上的第一厚度大于所述第二材料層在所述第一材料層的所述表面上的第二厚度；以及

以所述第二圖案作為遮罩而圖案化所述第一材料層，以形成第一圖案；

其中形成所述第二材料層的步驟以及對所述第二材料層進行非等向性蝕刻的步驟在同一蝕刻腔體中進行。

2.根據權利要求1所述的半導體組件的制造方法，其特征在于，形成所述第二材料層的步驟所使用的功率范圍為300W至1500W，且操作壓力范圍為4mTorr至50mTorr。

3.根據權利要求1所述的半導體組件的制造方法，其特征在于，形成所述第二材料層的方法包括將沉積氣體通入所述蝕刻腔體中，且對所述第二材料層進行非等向性蝕刻的方法包括將蝕刻氣體通入所述蝕刻腔體中，其中所述沉積氣體與所述蝕刻氣體可交替地或一起地通入所述蝕刻腔體中。

4.根據權利要求1所述的半導體組件的制造方法，其特征在于，形成所述第一材料層的方法包括于所述襯底上形成材料層，接著以回蝕的方法移除部分材料層以形成所述第一材料層，其中移除部分材料層的步驟在所述蝕刻腔體中進行。

5.根據權利要求1所述的半導體組件的制造方法，其特征在于，以所述第二圖案作為遮罩而圖案化所述第一材料層的方法包括非等向性蝕刻，且在所述蝕刻腔體中進行。

6.根據權利要求1所述的半導體組件的制造方法，其特征在于，所述第一厚度對于所述第二厚度的比值范圍為3至20。

7.根據權利要求1所述的半導體組件的制造方法，其特征在于，所述第二圖案覆蓋所述芯部結構的被所述第一圖案暴露出的側壁及頂面，且所述第二圖案具有尖形的頂部。

8.一種半導體組件，其特征在于，包括：

芯部結構，設置于襯底上；

第一圖案，設置于所述芯部結構的側壁上，其中所述第一圖案的頂面低于所述芯部結構的頂面；

第二圖案，覆蓋所述芯部結構的被所述第一圖案暴露出的側壁及頂面；

其中所述第二圖案具有尖形的頂部，且所述第一圖案的材料相異于所述第二圖案的材料；以及

第三材料層，覆蓋所述襯底、所述第二圖案以及所述第一圖案。

9.根據權利要求8所述的半導體組件，其特征在于，所述第二圖案的頂部的側壁為斜面或弧面。

10.根據權利要求8所述的半導體組件，其特征在于，所述第二圖案的側壁與所述第一圖案的側壁共平面。