[發明專利]封裝薄膜、電子裝置及電子裝置的制備方法

有效

• 申請號: 201710852901.7
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN109524361B
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 朱佩;曹蔚然
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L51/52
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 李艷麗

1.一種封裝薄膜，其特征在于，所述封裝薄膜包括：

第一膜層，所述第一膜層的材料中硼元素與碳元素的摩爾比為9-13:2；

第二膜層，所述第二膜層與所述第一膜層疊層結合，

所述第二膜層的材料中硼元素與碳元素的摩爾比為1:1-5。

2.根據權利要求1所述的封裝薄膜，其特征在于，所述封裝薄膜還包括：

第三膜層，所述第一膜層疊層結合于所述第三膜層，所述第二膜層疊層結合于所述第一膜層；

所述第三膜層的材料包括：SiC、AlN和BeO中的至少一種。

3.根據權利要求2所述的封裝薄膜，其特征在于，所述封裝薄膜還包括：

第四膜層，所述第三膜層疊層結合于所述第四膜層，所述第一膜層疊層結合于所述第三膜層，所述第二膜層疊層結合于所述第一膜層；

所述第四膜層的材料中硼元素與碳元素的摩爾比為1:1-5。

4.一種電子裝置，其特征在于，包括：

襯底；

在所述襯底上形成的電子元件；和

封裝薄膜，所述封裝薄膜封裝所述電子元件，其中，所述封裝薄膜包括第一膜層和第二膜層，所述第一膜層的材料中硼元素與碳元素的摩爾比為9-13:2；所述第一膜層設置在所述電子元件表面或所述電子元件和所述襯底表面，所述第二膜層疊層設置在所述第一膜層表面，所述第二膜層的材料中硼元素與碳元素的摩爾比為1:1-5。

5.根據權利要求4所述的電子裝置，其特征在于，所述封裝薄膜還包括第三膜層，所述第三膜層設置在所述電子元件表面或所述電子元件和所述襯底表面，所述第一膜層疊層設置在所述第三膜層表面，所述第二膜層疊層設置在所述第一膜層表面，所述第三膜層的材料包括SiC、AlN和BeO中的至少一種。

6.根據權利要求5所述的電子裝置，其特征在于，所述封裝薄膜還包括第四膜層，所述第四膜層設置在所述電子元件表面或所述電子元件和所述襯底表面，所述第三膜層疊層設置在所述第四膜層表面，所述第一膜層疊層設置在所述第三膜層表面，所述第二膜層疊層設置在所述第一膜層表面，所述第四膜層的材料中硼元素與碳元素的摩爾比為1:1-5。

7.根據權利要求6所述的電子裝置，其特征在于，

所述第一膜層的厚度為10 -30 nm；

和/或所述第二膜層的厚度為10 -50 nm；

和/或所述第三膜層的厚度為100-700 nm；

和/或所述第四膜層的厚度為10 -30 nm。

8.一種電子裝置的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供基材，所述基材包括襯底和設置于所述襯底上的電子元件；

在所述基材上形成封裝薄膜，對所述電子元件進行封裝；其中，所述封裝薄膜包括第一膜層和第二膜層，所述第一膜層的材料中硼元素與碳元素的摩爾比為9-13:2；所述第一膜層設置在所述基材表面，所述第二膜層疊層設置在所述第一膜層表面，所述第二膜層的材料中硼元素與碳元素的摩爾比為1:1-5。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，在所述基材上形成所述第一膜層的步驟包括：

以氣態B源、氣態C源和 H₂為反應氣體，采用化學氣相浸滲反應法，在所述基材上疊層形成所述第一膜層。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述化學氣相浸滲反應法，在所述基材上疊層形成所述第一膜層的工藝條件為：沉積功率為30-50 KW，沉積溫度為700-1000℃，氣態B源流量為0.5-10 ml/min，氣態C源流量為0.1-10 ml/min，H₂流量為80-100 ml/min，稀釋氣體流量為150-200 ml/min，沉積速率為300-400 nm/h。