[發明專利]半導體裝置、半導體系統和半導體裝置的控制方法

有效

• 申請號: 201710852792.9
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107888172B
• 公開（公告）日: 2023-08-04
• 發明（設計）人: 福岡一樹;植村俊文;北地祐子;岡崎葉助;村山曉
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H03K17/22
• 分類號: H03K17/22;H03K3/011;H03K3/03;G01R19/165
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 張小穩

本公開涉及半導體裝置、半導體系統和半導體裝置的控制方法。本發明的一個目的在于提供能夠準確地監測要監測的電路的最低操作電壓的半導體裝置、半導體系統和半導體裝置的控制方法。根據一個實施例，半導體系統的監測器單元包括：電壓監測器，該電壓監測器由與供應給作為要監測的電路的內部電路的第一電源電壓不同的第二電源電壓驅動，并監測第一電源電壓；以及延遲監測器，該延遲監測器由第一電源電壓驅動，并監測內部電路中的關鍵路徑的信號傳播時間段。

相關申請的交叉引用

2016年9月30日提交的日本專利申請No.2016-192420的公開內容(包括說明書、附圖和摘要)通過引用整體并入本文。

技術領域

本發明涉及半導體裝置、半導體系統和半導體裝置的控制方法，并且具體涉及適合用于準確地監測要監測的電路的最低操作電壓的半導體裝置、半導體系統和半導體裝置的控制方法。

背景技術

近年來，為了保證由電源電壓驅動的內部電路的操作，半導體系統設置有監測器電路，以監測電源電壓是否降低到內部電路的最低操作電壓之下。

例如，日本未審查的專利申請公開No.Hei?6(1994)-296125公開了一種構造，該構造通過將具有大變化和低最低操作電壓的電源電壓檢測電路與具有高準確度和高最低操作電壓的電源電壓檢測電路相互組合，而即使在低電壓下也能夠準確地檢測電源電壓而不出現故障。

另外，日本未審查的專利申請公開No.Hei?8(1996)-274607公開了通過使用環形振蕩器測量傳播延遲時間段來監測電源電壓的構造。

發明內容

已知電源電壓檢測電路的電源電壓的檢測準確度由于老化劣化等的影響而逐漸劣化。這里，在日本未審查的專利申請公開No.Hei?6(1994)-296125的構造中，存在因為只提供了兩種電源電壓檢測電路而使得電源電壓的檢測準確度由于老化劣化的影響而劣化的問題。從說明書和附圖的描述中，其它目的和新穎特征將變得明顯。

根據一個實施例的半導體裝置包括：電壓監測器，由第二電源電壓驅動，并監測第一電源電壓，第二電源電壓與供應給要監測的電路的第一電源電壓不同；以及延遲監測器，由第一電源電壓驅動，并監測要監測的電路中的關鍵路徑的信號傳播時間段。

在根據一個實施例的半導體裝置的控制方法中，使用由第二電源電壓驅動的電壓監測器監測第一電源電壓，第二電源電壓與供應給要監測的電路的第一電源電壓不同；以及使用由第一電源電壓驅動的延遲監測器來監測要監測的電路中的關鍵路徑的信號傳播時間段。

根據實施例，可以提供能夠準確地監測要監測的電路的最低操作電壓的半導體裝置、半導體系統和半導體裝置的控制方法。

附圖說明

圖1是用于說明根據第一實施例的半導體系統的概覽的圖示；

圖2是用于示出根據第一實施例的半導體系統的構造示例的框圖；

圖3是用于示出設置在圖2所示的半導體系統中的電壓監測器的構造示例的框圖；

圖4是用于示出設置在圖2所示的半導體系統中的延遲監測器的構造示例的框圖；

圖5是用于示出設置在圖4所示的延遲監測器中的振蕩單元的構造示例的框圖；

圖6是用于示出在高溫最差條件下設置在圖5所示的振蕩單元中的各環形振蕩器的溫度與操作速度之間的關系的圖示；

圖7是用于示出在低溫最差條件下設置在圖5所示的振蕩單元中的各環形振蕩器的溫度與操作速度之間的關系的圖示；

圖8是用于示出設置在圖5所示的振蕩單元中的環形振蕩器的具體構造示例的圖示；

圖9是用于示出設置在圖5所示的振蕩單元中的環形振蕩器的具體構造示例的圖示；