[發明專利]一種用于基因轉染中可光場調控基因快速釋放的方法

有效

• 申請號: 201710851642.6
• 申請日: 2017-09-19
• 公開（公告）號: CN107723305B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 程逵;姚利利;翁文劍
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C12N15/63
• 分類號: C12N15/63
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 萬尾甜;韓介梅

1.一種用于基因轉染中可光場調控基因快速釋放的方法，其特征在于，包括以下步驟：

以具有光伏效應的p+/n型或n+/p型硅基板表面作為基因承載平臺，在硅基板上吸附質粒或質粒/載體復合物，然后進行細胞培養；

細胞培養后，通過光場照射處理，使吸附在基板表面的質粒或質粒/載體復合物快速釋放，從而被細胞攝入，完成基因傳遞及表達；

所述的p+/n型硅基板中硼原子擴散深度為200-400nm，擴散濃度為1×10¹⁸~1×10²⁰原子/cm²；或所述的n+/p型硅基板中磷元素擴散深度為100nm，擴散濃度為5×10¹⁵原子/cm²；

所述的光場照射處理過程為：用波長為400~700nm的可見光從基因承載平臺的表面照射，照射10分鐘，光照強度50~100mw/cm²。

2.一種用于基因轉染中可光場調控基因快速釋放的方法，其特征在于，包括以下步驟：

以具有光伏效應的p+/n型或n+/p型硅基板表面作為基因承載平臺，在硅基板上吸附質粒或質粒/載體復合物，然后進行細胞培養；

細胞培養后，通過光場照射處理，使吸附在基板表面的質粒或質粒/載體復合物快速釋放，從而被細胞攝入，完成基因傳遞及表達；

所述的p+/n型硅基板中硼原子擴散深度為200nm，擴散濃度為1×10¹⁸原子/cm²；或所述的n+/p型硅基板中磷元素擴散深度為200-300nm，擴散濃度為1×10¹⁶~1×10¹⁷原子/cm²；

在所述的硅基板上先制備一層具有良好生物相容性的聚合物薄膜層，再作為基因承載平臺，在其上吸附質粒或質粒/載體復合物，進行細胞培養；其中在所述的p+/n型硅基板表面制備正電性的聚合物薄膜層，在所述的n+/p型硅基板表面制備負電性的聚合物薄膜層；

所述的光場照射處理過程為：用波長為400~700nm的可見光從基因承載平臺的表面照射，照射10~20分鐘，光照強度30~100mw/cm²；或用波長為300~400nm的紫外光從基因承載平臺的表面照射，照射20分鐘，光場強度為2mw/cm²。

3.如權利要求2所述的用于基因轉染中可光場調控基因快速釋放的方法，其特征在于，所述正電性的聚合物為聚乙烯亞胺（PEI）、殼聚糖、聚賴氨酸或聚精氨酸；所述的負電性的聚合物為聚組氨酸、聚丙烯酸、牛血清白蛋白、聚苯乙烯磺酸鈉或聚谷氨酸。

4.如權利要求1或2所述的用于基因轉染中可光場調控基因快速釋放的方法，其特征在于，所述的質粒/載體復合物中載體為陽離子脂質體、金納米顆粒、金納米棒或聚多肽。