[發明專利]存儲器工藝方法在審
| 申請號： | 201710851456.2 | 申請日： | 2017-09-19 |
| 公開（公告）號： | CN107731837A | 公開（公告）日： | 2018-02-23 |
| 發明（設計）人： | 邵國鍵;張可鋼 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/11568 | 分類號： | H01L27/11568;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 工藝 方法 | ||
1.一種存儲器工藝方法，適用于存儲器的制造工藝，其特征在于：包含如下的步驟：
步驟一、在存儲器的存儲管多晶硅柵極及柵極上氧化硅形成之后，整體淀積一層多晶硅，覆蓋存儲器的存儲區及邏輯區；
步驟二、再整體淀積一層氧化硅；
步驟三、去除存儲區上部的氧化硅；
步驟四、進一步去除存儲區上部的多晶硅；
步驟五、去除邏輯區氧化硅；
步驟六、涂覆光刻膠，對存儲區及邏輯區進行光刻，打開存儲區多晶硅柵極之間的窗口；
步驟七、窗口打開后，對多晶硅進行刻蝕；
步驟八、去除存儲區及邏輯區的光刻膠。
2.如權利要求1所述的存儲器工藝方法，其特征在于：所述步驟一中，淀積的多晶硅的厚度為完全覆蓋住存儲器的柵極，同時由于器件的表面形貌，淀積后的多晶硅在多晶硅柵極之間的區域，以及邏輯區出現凹陷，表面高度低于多晶硅柵極的區域。
3.如權利要求1所述的存儲器工藝方法，其特征在于：所述步驟二中，氧化硅淀積在多晶硅表面，淀積的厚度為厚度足以使表面趨于平坦。
4.如權利要求1所述的存儲器工藝方法，其特征在于：所述步驟三中，去除存儲區上部的氧化硅后存儲區硅表面的厚度為
5.如權利要求1所述的存儲器工藝方法，其特征在于：所述步驟四中，去除存儲區上部的部分多晶硅采用CMP或者干法刻蝕，存儲區剩余多晶硅厚度保留在
6.如權利要求1所述的存儲器工藝方法，其特征在于：所述步驟五中，去除邏輯區剩余的氧化硅采用CMP或者干法刻蝕，邏輯區多晶硅厚度保留在
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
