[發(fā)明專利]數(shù)據(jù)電壓存儲(chǔ)電路、驅(qū)動(dòng)方法、液晶顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710851223.2
• 申請(qǐng)日: 2017-09-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107578751B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳怡敏;邵賢杰;王秀娟;王張萌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/36
• 分類號(hào): G09G3/36
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤(rùn)湘

本發(fā)明公開(kāi)了一種數(shù)據(jù)電壓存儲(chǔ)電路、其驅(qū)動(dòng)方法、液晶顯示面板及顯示裝置，包括：電壓輸入模塊、存儲(chǔ)控制模塊以及輸出控制模塊；通過(guò)存儲(chǔ)控制模塊存儲(chǔ)輸入到第一節(jié)點(diǎn)的數(shù)據(jù)信號(hào)，以長(zhǎng)時(shí)間保存數(shù)據(jù)信號(hào)。通過(guò)上述三個(gè)模塊的相互配合，可以通過(guò)簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)將第二參考電壓信號(hào)端或公共電壓信號(hào)端的信號(hào)提供給信號(hào)輸出端，降低制備工藝難度，降低電路的占用空間，提高像素開(kāi)口率。當(dāng)將第二參考電壓信號(hào)端與公共電壓信號(hào)端的信號(hào)分別輸入液晶顯示面板中的像素電極時(shí)，在像素電極輸入第二參考電壓信號(hào)端的信號(hào)時(shí)，液晶層兩側(cè)形成電壓差以驅(qū)動(dòng)液晶翻轉(zhuǎn)，顯示白畫面。在像素電極輸入公共電壓信號(hào)端的信號(hào)時(shí)，液晶層兩側(cè)沒(méi)有電壓差，顯示黑畫面。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種數(shù)據(jù)電壓存儲(chǔ)電路、其驅(qū)動(dòng)方法、液晶顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，液晶顯示(Liquid Crystal Display，LCD)面板以其低功耗、驅(qū)動(dòng)電壓低等優(yōu)點(diǎn)，廣泛地應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。其中，LCD面板分為透射式LCD面板和反射式LCD面板。透射式LCD面板使用諸如背光源的內(nèi)部光源來(lái)顯示圖像，而反射式LCD面板使用諸如自然陽(yáng)光的外部光源來(lái)顯示圖像。由于反射式LCD面板不需要諸如背光源的外部光源，反射式LCD面板可以更薄更輕，且功耗更低，適用于應(yīng)用于需要低功耗的穿戴設(shè)備中。

目前，一般反射式LCD面板采用像素記憶體(Memory In Pixel，MIP)節(jié)能技術(shù)，以降低功耗。該MIP技術(shù)是通過(guò)在反射式LCD面板中的每個(gè)像素內(nèi)設(shè)置靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Static Random Access Memory，SRAM)，以將輸入像素的數(shù)據(jù)電壓存儲(chǔ)一定時(shí)間進(jìn)行顯示，避免數(shù)據(jù)電壓多次寫入提高功耗。然而，一般SRAM至少包括兩個(gè)非門電路，使得SRAM包括的晶體管數(shù)量較多，導(dǎo)致SRAM占用像素的區(qū)域較大，從而降低像素開(kāi)口率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種數(shù)據(jù)電壓存儲(chǔ)電路、其驅(qū)動(dòng)方法、液晶顯示面板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中SRAM占用像素的區(qū)域較大，降低像素開(kāi)口率的問(wèn)題。

因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種數(shù)據(jù)電壓存儲(chǔ)電路，包括：電壓輸入模塊、存儲(chǔ)控制模塊以及輸出控制模塊；

所述電壓輸入模塊分別與掃描信號(hào)端、數(shù)據(jù)信號(hào)端以及第一節(jié)點(diǎn)相連，用于在所述掃描信號(hào)端的控制下將所述數(shù)據(jù)信號(hào)端的數(shù)據(jù)信號(hào)提供給所述第一節(jié)點(diǎn)；

所述存儲(chǔ)控制模塊與所述第一節(jié)點(diǎn)以及第一參考電壓信號(hào)端相連，用于穩(wěn)定所述第一節(jié)點(diǎn)的電壓；

所述輸出控制模塊分別與第二參考電壓信號(hào)端、公共電壓信號(hào)端、所述第一節(jié)點(diǎn)以及所述數(shù)據(jù)電壓存儲(chǔ)電路的信號(hào)輸出端相連，用于在所述第二參考電壓信號(hào)端與所述第一節(jié)點(diǎn)的信號(hào)的共同控制下將所述第二參考電壓信號(hào)端的信號(hào)或所述公共電壓信號(hào)端的信號(hào)提供給所述信號(hào)輸出端。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述數(shù)據(jù)電壓存儲(chǔ)電路中，所述存儲(chǔ)控制模塊包括：存儲(chǔ)電容；

所述存儲(chǔ)電容的第一端與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，所述存儲(chǔ)電容的第二端與所述第一參考電壓信號(hào)端相連。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述數(shù)據(jù)電壓存儲(chǔ)電路中，所述輸出控制模塊包括：第一開(kāi)關(guān)晶體管、第二開(kāi)關(guān)晶體管以及第三開(kāi)關(guān)晶體管；

所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的控制極與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的第一極與所述第二參考電壓信號(hào)端相連，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的第二極與所述第三開(kāi)關(guān)晶體管的第一極相連；

所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的控制極與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的第一極與所述公共電壓信號(hào)端相連，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的第二極與所述第三開(kāi)關(guān)晶體管的第一極相連；

所述第三開(kāi)關(guān)晶體管的控制極與所述第二參考電壓信號(hào)端相連，所述第三開(kāi)關(guān)晶體管的第二極與所述信號(hào)輸出端相連。