[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201710850772.8
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107957744B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 坂本真吾
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李輝;董典紅

1.一種半導體器件，包括：

功率放大器，放大來自發射電路的輸出；和

調節器，向所述功率放大器供電，

其中所述調節器包括：

運算放大器，包括環路增益控制電路；和

環路增益控制電壓產生電路，向所述環路增益控制電路提供控制電壓，以及

其中當啟動所述調節器時，所述環路增益控制電壓產生電路將所述運算放大器的環路增益抑制為低于啟動后的環路增益。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述運算放大器包括：

第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管，以電流鏡配置有源負載；

第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管，配置差分對；

第三NMOS晶體管，耦合到所述第一NMOS晶體管和所述第二NMOS晶體管，并配置電流源；和

所述環路增益控制電路，耦合在第一節點和第二節點之間，所述第一PMOS晶體管和所述第一NMOS晶體管耦合到所述第一節點，所述第二PMOS晶體管和所述第二NMOS晶體管耦合到所述第二節點，

其中所述環路增益控制電路包括：

電阻器，設置在所述第一節點和所述第二節點之間；和

第四NMOS晶體管，調整所述電阻器的電阻值，并且基于所述控制電壓連續地調整所述第四NMOS晶體管的導通電阻。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述運算放大器包括：

第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管，以電流鏡配置有源負載；

第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管，配置差分對；

多個電流源，耦合到所述第一PMOS晶體管和所述第二PMOS晶體管以及所述第一NMOS晶體管和所述第二NMOS晶體管；

開關，選擇所述電流源中的至少一個電流源；和

所述環路增益控制電路，耦合在第一節點與第二節點之間，所述第一PMOS晶體管和所述第一NMOS晶體管耦合到所述第一節點，所述第二PMOS晶體管和所述第二NMOS晶體管耦合到所述第二節點，

其中所述環路增益控制電路包括：

電阻器，設置在所述第一節點和所述第二節點之間；和

第四NMOS晶體管，調整所述電阻器的電阻值，并且基于所述控制電壓連續地調整所述第四NMOS晶體管的導通電阻。

4.根據權利要求2或3所述的半導體器件，

其中所述電阻器被耦合在所述第二節點和所述第四NMOS晶體管之間，

其中所述第四NMOS晶體管被耦合在所述第一節點和所述電阻器之間，并且

其中所述運算放大器的輸出取自所述第一節點。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中所述環路增益控制電壓產生電路：

在從來自所述調節器的輸出的開始起的預定時段內，向所述第四NMOS晶體管的柵極提供預定的控制電壓，以及

在所述預定時段之后，將隨時間降低的所述控制電壓提供給所述第四NMOS晶體管的柵極。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，

其中所述調節器還包括定時產生電路，以及

其中所述定時產生電路包括計數器，并且基于所述計數器的設定值產生所述預定時段。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，還包括：

控制電路，控制所述調節器；

工藝監視器，檢測所述半導體器件的工藝變化信息；

溫度傳感器，檢測所述半導體器件的溫度；和

校正表，在其中存儲基于來自所述工藝監視器和所述溫度傳感器的信息而計算的信息，

其中存儲在所述校正表中的所述信息是關于所述計數器的設定值或者應當選擇所述開關中的哪個開關的信息，以及

其中所述控制電路將存儲在所述校正表中的所述信息提供給所述調節器。