[發明專利]一種無靜態功耗的過流保護電路

有效

• 申請號: 201710850687.1
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107611923B
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 黑勇;張飛飛;肖建輝
• 申請（專利權）人: 江蘇邦融微電子有限公司
• 主分類號: H02H3/08
• 分類號: H02H3/08
• 代理公司: 蘇州廣正知識產權代理有限公司 32234
• 代理人: 張利強

本發明公開了一種無靜態功耗的過流保護電路，包括電阻、PMOS管、NMOS管、內部電路和整形電路，所述的電阻的一端和供電電源VDD相連接，另一端和A點相連接，所述的PMOS管的柵極與電阻連接的A點相連接，PMOS管的源極和供電電源VDD相連接，PMOS管的漏極和NMOS管的漏極相連接，PMOS管的源極和地電位相連接，所述的PMOS管和NMOS管的漏極與整形電路的輸入相連接。通過上述，本發明通過一個電阻，兩個MOS管的主題電路實現過流保護的功能，無靜態電流，器件比常規電路少，無需額外的參考電壓，運算放大器，實現了過流保護的功能，達到了減小電路工作電流，縮小過流保護功能版圖面積的目的。

技術領域

本發明屬于集成電路技術領域，涉及一種過流保護電路，尤其涉及一種無靜態功耗的過流保護電路。

背景技術

芯片的過流保護功能在很多類型的芯片都內部有集成，特別是在電源管理芯片。現有的過流保護電路大多采用運放和比較器一類的電路來實現。這種電路的優點在于可以比較準確的控制過流跳變點的值，缺點就是電路過于復雜，靜態電流比較大，而且不適合工作電流值和過流電流設定值相差比較大的情況。

例如在專利CN2009101109865《一種過流保護電路》中，提及了一種過流保護電路。如圖1所示：41是標志的參考電壓，42,43是兩個運算放大器，44,45標志的是兩條支路的電流。在專利CN2009101109865《一種過流保護電路》中，需要兩個運算放大器AMP1和AMP2，一個參考電壓。靜態電流包含44,45電流支路和運算放大器AMP1和AMP2。從中可以看出，靜態電流比較大，額外還需要一個參考電壓，電路比較復雜。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種無靜態功耗的過流保護電路，通過一個電阻，兩個MOS管的主題電路實現過流保護的功能，無靜態電流，器件比常規電路少，無需額外的參考電壓，運算放大器，實現了過流保護的功能，達到了減小電路工作電流，縮小過流保護功能版圖面積的目的。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供了一種無靜態功耗的過流保護電路，包括電阻、PMOS管、NMOS管、內部電路和整形電路，所述的電阻的一端和供電電源VDD相連接，另一端和A點相連接，所述的PMOS管的柵極與電阻連接的A點相連接，PMOS管的源極和供電電源VDD相連接，PMOS管的漏極和NMOS管的漏極相連接，PMOS管的源極和地電位相連接，所述的PMOS管和NMOS管的漏極與整形電路的輸入相連接。

在本發明一個較佳實施例中，所述的A點為內部電路的實際供電輸入點。

在本發明一個較佳實施例中，所述的相連接的PMOS管和NMOS管構成一個反相器。

在本發明一個較佳實施例中，所述的A點最高電壓小于反相器的跳變點電壓。

在本發明一個較佳實施例中，所述的內部電路可等效為一個可變電阻，假設其電阻值的最大值為RLMAX，最小值為RLMIN。

在本發明一個較佳實施例中，所述的A點的最高電壓表達為 VAMAX=VDD* RLMAX /( RLMAX +RSS)，A點的最低電壓表達為VMIN=VDD* RLMIN /( RLMIN +RSS)。

本發明的有益效果是：本發明的無靜態功耗的過流保護電路，通過一個電阻，兩個MOS管的主題電路實現過流保護的功能，無靜態電流，器件比常規電路少，無需額外的參考電壓，運算放大器，實現了過流保護的功能，達到了減小電路工作電流，縮小過流保護功能版圖面積的目的。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖，其中：