[發明專利]一種鍍DLC膜的紅外硫系玻璃鏡片及其制備方法有效
| 申請號： | 201710850535.1 | 申請日： | 2017-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN107746187B | 公開（公告）日： | 2020-09-08 |
| 發明（設計）人： | 蔡明宗;李海軍;王煒華 | 申請（專利權）人： | 湖北森浤光學有限公司 |
| 主分類號： | C03C17/36 | 分類號： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 林德強 |
| 地址： | 443300 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 dlc 紅外 玻璃 鏡片 及其 制備 方法 | ||
1.一種鍍DLC膜的紅外硫系玻璃鏡片，其特征在于：紅外硫系玻璃鏡片的表面由內至外依次設置第一Ge膜層、第一YF3膜層、第二Ge膜層、第二YF3膜層、第三Ge膜層和DLC膜層；
所述第一Ge膜層的厚度為205～215nm，第一YF3膜層的厚度為310～330nm，第二Ge膜層的厚度為618～633nm，第二YF3膜層的厚度為1178～1930nm，第三Ge膜層的厚度為69～88nm，DLC膜層的厚度為300～460nm；
所述鍍DLC膜的紅外硫系玻璃鏡片是通過以下步驟的制備方法制得：
1)鍍制紅外AR膜：在待鍍的紅外硫系玻璃鏡片表面依次蒸鍍第一Ge膜、第一YF3膜、第二Ge膜、第二YF3膜和第三Ge膜，得到鍍AR膜的基片；
2)鍍制DLC膜：將鍍AR膜的基片置于沉積設備中，在真空條件下，通入無機氣體清洗基片，再通入烷烴氣體進行射頻輝光放電，解離的烷烴氣體在鍍AR膜的基片表面沉積形成DLC膜層，制成鍍DLC膜的紅外硫系玻璃鏡片；
所述步驟2)中，烷烴氣體為C4H10。
2.權利要求1所述的一種鍍DLC膜的紅外硫系玻璃鏡片的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
1)鍍制紅外AR膜：在待鍍的紅外硫系玻璃鏡片表面依次蒸鍍第一Ge膜、第一YF3膜、第二Ge膜、第二YF3膜和第三Ge膜，得到鍍AR膜的基片；
2)鍍制DLC膜：將鍍AR膜的基片置于沉積設備中，在真空條件下，通入無機氣體清洗基片，再通入烷烴氣體進行射頻輝光放電，解離的烷烴氣體在鍍AR膜的基片表面沉積形成DLC膜層，制成鍍DLC膜的紅外硫系玻璃鏡片；
所述步驟2)中，烷烴氣體為C4H10。
3.根據權利要求2所述的一種鍍DLC膜的紅外硫系玻璃鏡片的制備方法，其特征在于：步驟2)中，沉積設備為碳膜機。
4.根據權利要求2所述的一種鍍DLC膜的紅外硫系玻璃鏡片的制備方法，其特征在于：步驟2)中，無機氣體的通入量為20～40sccm。
5.根據權利要求4所述的一種鍍DLC膜的紅外硫系玻璃鏡片的制備方法，其特征在于：步驟2)中，無機氣體為氬氣。
6.根據權利要求2所述的一種鍍DLC膜的紅外硫系玻璃鏡片的制備方法，其特征在于：步驟2)中，烷烴氣體的通入量為30～50sccm。
7.根據權利要求2所述的一種鍍DLC膜的紅外硫系玻璃鏡片的制備方法，其特征在于：步驟2)中，DLC膜沉積的時間為300～600秒。
8.根據權利要求2所述的一種鍍DLC膜的紅外硫系玻璃鏡片的制備方法，其特征在于：步驟2)中，通入無機氣體前體系的氣體壓力小于3×10-3Pa，通入無機氣體清洗時體系的氣體壓力為3～6Pa，通入烷烴氣體沉積時體系的氣體壓力為8～20Pa。
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