[發(fā)明專利]一種無(wú)序排列的寬禁帶半導(dǎo)體納米線的同位素電池

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710849974.0
• 申請(qǐng)日: 2017-09-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107785093A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張子庚;張瑜桀;張核元;張鎂元;任琤;任易
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 壹號(hào)元素（廣州）科技有限公司
• 主分類號(hào): G21H1/06
• 分類號(hào): G21H1/06;B82Y30/00
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司44202
• 代理人: 宋靜娜,郝傳鑫

1.一種無(wú)序排列的寬禁帶半導(dǎo)體納米線的同位素電池，其特征在于，包括襯底電極、頂部電極、寬禁帶半導(dǎo)體納米線層和同位素輻射源；所述寬禁帶半導(dǎo)體納米線層包含多個(gè)納米線，所述納米線的表面具有肖特基結(jié)或異質(zhì)結(jié)，所述多個(gè)納米線相互交錯(cuò)設(shè)于寬禁帶半導(dǎo)體納米線層內(nèi)，所述寬禁帶半導(dǎo)體納米線層設(shè)于襯底電極和頂部電極之間，所述同位素輻射源設(shè)于寬禁帶半導(dǎo)體納米線層內(nèi)和/或?qū)捊麕О雽?dǎo)體納米線層與頂部電極之間。

2.如權(quán)利要求1所述無(wú)序排列的寬禁帶半導(dǎo)體納米線的同位素電池，其特征在于，所述同位素輻射源設(shè)于寬禁帶半導(dǎo)體納米線層內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1所述無(wú)序排列的寬禁帶半導(dǎo)體納米線的同位素電池，其特征在于，所述納米線的材料為金屬氧化物、半導(dǎo)體化合物和半導(dǎo)體單質(zhì)中的至少一種；所述半導(dǎo)體化合物為含有第ⅢA族、第ⅤA族、ⅡA族、ⅡB族或ⅥA族元素的半導(dǎo)體化合物。

4.如權(quán)利要求1所述無(wú)序排列的寬禁帶半導(dǎo)體納米線的同位素電池，其特征在于，所述納米線的材料包含氧化鋅、二氧化鋯、二氧化鈦、三氧化二鎵、二氧化錫、三氧化鎢、氮化鎵、磷化鎵、氮化銦、氮化鋁、磷化鋁、砷化鋁、硫化鎘、硫化鋅、硫化鎂、硒化鋅、硒化鎂、硅和金剛石中的至少一種。

5.如權(quán)利要求1所述無(wú)序排列的寬禁帶半導(dǎo)體納米線的同位素電池，其特征在于，所述納米線的直徑為10～1000nm，長(zhǎng)度為5～1000μm。

6.如權(quán)利要求1所述無(wú)序排列的寬禁帶半導(dǎo)體納米線的同位素電池，其特征在于，所述同位素輻射源為β輻射源或α輻射源。

7.如權(quán)利要求1所述無(wú)序排列的寬禁帶半導(dǎo)體納米線的同位素電池，其特征在于，所述同位素輻射源包含氚、鎳-63、鍶-90、碳-14和钷-147中的至少一種。

8.如權(quán)利要求1所述無(wú)序排列的寬禁帶半導(dǎo)體納米線的同位素電池，其特征在于，所述頂部電極和襯底電極的材料為金屬、導(dǎo)電玻璃、石墨烯、導(dǎo)電聚合物和導(dǎo)電漿料中的至少一種。

9.如權(quán)利要求1所述無(wú)序排列的寬禁帶半導(dǎo)體納米線的同位素電池，其特征在于，所述肖特基結(jié)或異質(zhì)結(jié)為采用異質(zhì)材料對(duì)納米線的表面進(jìn)行修飾或者摻雜形成。

10.如權(quán)利要求9所述無(wú)序排列的寬禁帶半導(dǎo)體納米線的同位素電池，其特征在于，所述異質(zhì)材料為半導(dǎo)體、金屬、石墨烯和高分子導(dǎo)電材料中的至少一種。