[發(fā)明專利]一種用于眼科超聲診斷設備的高壓脈沖發(fā)射電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710849601.3 | 申請日: | 2017-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN109525226B | 公開(公告)日: | 2023-06-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周曉宇;吳永亮;張滎娟;王子木 | 申請(專利權)人: | 上海瑞影醫(yī)療科技有限公司 |
| 主分類號: | H03K3/35 | 分類號: | H03K3/35;H03K3/021;A61B8/00 |
| 代理公司: | 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 張宇 |
| 地址: | 200086 上海市虹口*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 眼科 超聲 診斷 設備 高壓 脈沖 發(fā)射 電路 | ||
1.一種用于眼科超聲診斷設備的高壓脈沖發(fā)射電路,其特征在于:包括控制器FPGA、控制信號處理電路、脈沖驅動電路、脈沖發(fā)射電路、高壓脈沖振蕩抑制電路,所述控制信號處理電路包括高速比較器,所述脈沖驅動電路包括MOSFET驅動器,所述脈沖發(fā)射電路包括P-MOSFET和N-MOSFET,控制器FPGA輸出控制信號EPT+、EPT-經(jīng)過高速比較器后得到低壓脈沖信號;控制信號處理電路輸出低壓脈沖信號經(jīng)過脈沖驅動電路的MOSFET驅動器驅動脈沖發(fā)射電路的P-MOSFET和N-MOSFET,輸出正負高壓發(fā)射脈沖;所述高壓脈沖振蕩抑制電路包括施密特反相器、MOSFET驅動器、MOS管,控制器FPGA輸出控制信號RTZ-通過施密特反相器反相后,經(jīng)過MOSFET驅動器驅動MOS管,形成脈沖振蕩抑制脈沖;
所述控制信號處理電路包括第二芯片U2、第四芯片U4、第二電阻R2、第四電阻R4、第六電阻R6、第十電阻R10、第十二電阻R12、第十三電阻R13、第一電容C1、第三電容C3、第七電容C7、第十電容C10、第十三電容C13、第十五電容C15;第二芯片U2、第四芯片U4為高速比較器;第七電容C7連接至控制信號EPT+與第二芯片U2的第三引腳之間,第六電阻R6連接至第二芯片U2的第三引腳與地之間,第四電阻R4連接至電源5V與第二芯片U2的第二引腳之間,第二電阻R2連接至第二芯片U2的第二引腳與地之間,第二芯片U2的第四引腳、第八引腳接地,第二芯片U2的第七引腳接電源5V,第一電容C1與第三電容C3并聯(lián)連接至第二芯片U2的第七引腳與地之間;第十五電容C15連接至控制信號EPT-與第四芯片U4的第三引腳之間,第十三電阻R13連接至第四芯片U4的第三引腳與電源+5V之間,第十二電阻R12連接至第四芯片U4的第二引腳與電源5V之間,第十電阻R10連接至第四芯片U4的第二引腳與地之間,第四芯片U4的第四引腳、第八引腳接地,第四芯片U4的第七引腳接電源5V,第十電容C10、第十三電容C13并聯(lián)連接至第四芯片U4的第七引腳與地之間;
所述脈沖驅動電路包括第一芯片U1、第三芯片U3、第二電容C2、第八電容C8、第三電阻R3、第八電阻R8,所述第一芯片U1、第三芯片U3為單通道功率MOSFET驅動器,第一芯片U1的第一引腳、第八引腳連接至10V電源,第三電阻R3連接至第一芯片U1的第一引腳與第二引腳之間,第一芯片U1的第四引腳、第五引腳、第六引腳接地;第三芯片U3的第一引腳、第八引腳連接至10V電源,第八電阻R8連接至第三芯片U3的第一引腳與第二引腳之間,第三芯片U3的第四引腳、第五引腳、第六引腳接地,第一芯片U1、第三芯片U3輸出脈沖驅動信號;
所述脈沖發(fā)射電路包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一穩(wěn)壓二極管D1、第二穩(wěn)壓二極管D2、第三穩(wěn)壓二極管D3、第四穩(wěn)壓二極管D4、第五二極管D5、第六二極管D6、第七穩(wěn)壓二極管D7、第八穩(wěn)壓二極管D8、第九穩(wěn)壓二極管D9、第十穩(wěn)壓二極管D10、第一電阻R1、第五電阻R5、第七電阻R7、第九電阻R9、第十一電阻R11;第六電容C6與第一MOS管Q1的柵極相連,第九電容C9與第二MOS管Q2的柵極相連,第六電容C6、第九電容C9為高壓電容;第一電阻R1連接至第一MOS管的源極與高壓電源+HV之間,第四電容C4與第五電容C5并聯(lián)連接至第一MOS管的源極與地之間,第一穩(wěn)壓二極管D1、第二穩(wěn)壓二極管D2、第三穩(wěn)壓二極管D3串聯(lián)連接,第三穩(wěn)壓二極管D3的陽極接地,第五電阻R5與第四穩(wěn)壓二極管D4并聯(lián)連接至第一MOS管Q1的柵極與源極之間;第十一電阻R11連接至第二MOS管的源極與低壓電源-HV之間,第十一電容C11與第十二電容C12并聯(lián)連接至第二MOS管的源極與地之間,第八穩(wěn)壓二極管D8、第九穩(wěn)壓二極管D9、第十穩(wěn)壓二極管D10串聯(lián)連接,第十穩(wěn)壓二極管D10的陰極接地,第九電阻R9與第七穩(wěn)壓二極管D7并聯(lián)連接至第二MOS管Q1的柵極與源極之間。
2.如權利要求1所述的一種用于眼科超聲診斷設備的高壓脈沖發(fā)射電路,其特征在于,所述第二芯片U2、第四芯片U4為軌道軌高速比較器。
3.如權利要求1所述的一種用于眼科超聲診斷設備的高壓脈沖發(fā)射電路,其特征在于,所述第一MOS管Q1為P-Channel?Power?MOSFET。
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