[發明專利]一種AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制備方法

在審

• 申請號: 201710849105.8
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107731676A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 李樹強;陳芳;施維;王光緒;江風益
• 申請（專利權）人: 南昌大學;南昌黃綠照明有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/306;H01L21/308;H01L33/00
• 代理公司: 江西省專利事務所36100
• 代理人: 張文

1.一種AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制備方法，包括以下步驟：首先利用常規MOCVD制備AlGaInP LED外延材料，然后利用金屬蒸發、光刻、腐蝕、鍵合、合金這些常規的管芯制備工藝將外延材料轉移到鍵合基板上，制備出N面出光的AlGaInP薄膜LED芯片，在切割分離AlGaInP薄膜LED芯片之前，利用常規光刻工藝在切割道以外的區域用光刻膠保護，其特征在于：將待切割的AlGaInP薄膜LED芯片放入切割道腐蝕液中，把切割道對應區域的外延材料腐蝕掉，制備出切割道，最后用激光切割機或砂輪切割機沿切割道中心線將芯片分離，得到成品。

2.根據權利要求1所述的AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制備方法，其特征在于：切割道腐蝕液由碘酸水溶液、鹽酸和水配制而成，體積配比為：碘酸水溶液:鹽酸：水=1:1:x（5<x<20），其中，碘酸水溶液的摩爾濃度為0.1~0.4mol/L，鹽酸的體積濃度為37%，水為去離子水。

3.根據權利要求1或2所述的AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制備方法，其特征在于：切割道腐蝕液對AlGaInP材料層和GaP材料層的腐蝕速率比大于5，腐蝕停止在GaP材料層中。

4.根據權利要求1或2所述的AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制備方法，其特征在于：腐蝕溫度為25±5度，腐蝕時間為1~5分鐘。

5.根據權利要求3所述的AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制備方法，其特征在于：腐蝕溫度為25±5度，腐蝕時間為1~5分鐘。