[發明專利]一種抑制薄膜LED芯片光反射金屬層球聚的方法

在審

• 申請號: 201710849104.3
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107623061A
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發明（設計）人: 李樹強;陳芳;施維;王光緒;江風益
• 申請（專利權）人: 南昌大學;南昌黃綠照明有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/60;H01L33/62
• 代理公司: 江西省專利事務所36100
• 代理人: 張文

1.一種抑制薄膜LED芯片光反射金屬層球聚的方法，外延材料清洗、生長絕緣介質層、光刻P面電極孔、蒸發P面電極、光刻P面電極、蒸發光反射金屬層、蒸發鍵合金屬層、晶片鍵合、蒸發N面電極、光刻N面電極、電極合金、芯片粗化、芯片測試、芯片切割、芯片分選、產品包裝入庫，其特征在于：在光刻N面電極步驟和芯片粗化步驟之間設有電極合金步驟，且放在晶片鍵合步驟之后。

2.根據權利要求1所述的抑制薄膜LED芯片光反射金屬層球聚的方法，其特征在于：電極合金采用快速退火爐，溫度為350--600度，時間為10--120秒。

3.根據權利要求1或2所述的抑制薄膜LED芯片光反射金屬層球聚的方法，其特征在于：電極合金在純度高于99.999%的氮氣、氫氣或氮氣和氫氣混合氣體中完成。