[發明專利]一種光學生物傳感器制備方法

在審

• 申請號: 201710848706.7
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107870163A
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發明（設計）人: 程四興;李建霖;劉仁源;鄭蘭花;洪禮清;庾瓊;蔣奎勝;焦政
• 申請（專利權）人: 東莞東陽光科研發有限公司
• 主分類號: G01N21/552
• 分類號: G01N21/552;C23C14/35;C23C14/24;C23C14/30;C23C14/58;C23C14/18;C23C14/20
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1.一種制備光學生物傳感器的方法，其特征在于，包括步驟：

a)鍍膜：提供一基板，在所述基板上沉積金屬薄膜層；

b)熱處理：將所述基板進行熱處理，使金屬薄膜熔融為金屬納米粒子；

c)表面處理：將所述金屬納米粒子進行表面處理，成為納米粒子單元；

d)修飾：在所述基板表面修飾檢測粒子成為檢測單元。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟a)中，所述沉積的方法為磁控濺射、熱蒸發、電子束蒸發或其組合。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟a)中，所述沉積是采用真空熱蒸發法；所述真空熱蒸發法的蒸發速率為0.05nm～0.5nm每秒。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟a)中，所述沉積金屬薄膜層為先沉積一層鉻，再沉積一層金、銀或金銀合金。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟b)中，所述熱處理是將基板置于網帶爐中，在保護氣體下保溫熱處理。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述熱處理保護氣體為氮氣、氬氣、二氧化碳或其組合，所述熱處理溫度為200℃～900℃，所述熱處理的時間是0.1min～30min。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟b)中，在所述熱處理前還包括步驟：

在熱處理前，使用機械手將所述基板置于網帶爐中，在熱處理結束后，再使用機械手將所述基板從網帶爐中取下。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟c)中，所述表面處理是將基板置于等離子設備中，通入惰性保護氣體，加氣壓，加射頻電壓，進行表面處理。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述表面處理惰性保護氣體為氮氣、氬氣或其組合，所述氣壓為50Pa～150Pa；所述射頻電壓為5W～15W；所述表面處理的時間為2min～10min。

10.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟d)中，所述修飾是將所述基板浸泡于含有所述檢測粒子的溶液中，使所述檢測粒子修飾于所述基板表面。