[發(fā)明專利]一種漏電保護型自舉采樣開關(guān)電路及設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710848077.8
• 申請日: 2017-09-19
• 公開（公告）號: CN107465407B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張莉莉;曹淑新
• 申請（專利權(quán)）人: 豪威模擬集成電路（北京）有限公司
• 主分類號: H03K17/22
• 分類號: H03K17/22;H03K17/284;H03K17/16;H03K17/687
• 代理公司: 北京億騰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11309
• 代理人: 陳霽

1.一種漏電保護型自舉采樣開關(guān)電路，包括：漏電保護型柵壓自舉電路、柵壓復(fù)位電路和NMOS開關(guān)電路；其特征在于，

所述漏電保護型柵壓自舉電路，包括漏電保護開關(guān)；所述漏電保護開關(guān)一端連接電源VDD，另一端連接MOS管，在時鐘為高電平期間斷開所述電源VDD與所述MOS管的連接；

所述NMOS開關(guān)電路包括N型MOS管M9和M10；其中，N型MOS管M9作為采樣開關(guān)，其柵端電壓由漏電保護型柵壓自舉電路和柵壓復(fù)位電路控制；N型MOS管M10作為采樣開關(guān)M9的DUMMY管，用來消除溝道注入電荷的影響，其柵端的控制時序與采樣開關(guān)M9的柵端的控制時序相反，通過時鐘CLK經(jīng)過一段時間延時得到。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述漏電保護開關(guān)為P型MOS管M3,所述MOS管為P型MOS管M4；所述P型MOS管M3一端連接電源VDD，另一端連接P型MOS管M4，在時鐘為高電平期間斷開所述電源VDD與所述P型MOS管M4的連接；所述漏電保護型柵壓自舉電路在信號采樣期間，相當(dāng)于一個固定電壓源VDD接在采樣開關(guān)M9的柵端和源端之間，實現(xiàn)自舉采樣開關(guān)的柵壓自舉功能。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，在時鐘信號CLK與其反向時鐘信號CLKB的控制下，采樣N型MOS管M9的柵端電壓在信號采樣期間跟隨輸入信號為(VDD+Vin)，那么N型MOS管M9的柵源電壓VGS保持為一固定值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，在時鐘信號CLK與其反向時鐘信號CLKB的控制下，N型MOS管M9的柵端電壓在信號保持期間拉到地電位，采樣開關(guān)進行復(fù)位。

5.一種漏電保護型自舉采樣開關(guān)設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1-4中任一權(quán)利要求所述的電路。