[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710844807.7
• 申請日: 2017-09-19
• 公開（公告）號: CN109524395B
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱建維;林鑫成;胡鈺豪
• 申請（專利權(quán)）人: 世界先進(jìn)積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/72;H01L21/76;H01L29/06
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 王濤;賈磊

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

一半導(dǎo)體基底，具有一第一導(dǎo)電類型，其中該半導(dǎo)體基底包括一第一區(qū)和一第二區(qū)；

一埋置層，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該第一區(qū)內(nèi)且具有該第一導(dǎo)電類型，其中該埋置層的摻質(zhì)濃度高于該半導(dǎo)體基底的摻質(zhì)濃度；

一外延層，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底上；

一第一元件，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該第一區(qū)上，其中該第一元件包括一雙載子-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體-雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其中該雙載子-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體-雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管包括：

一第一阱，設(shè)置于該外延層內(nèi)且具有該第一導(dǎo)電類型；

一第二阱，設(shè)置于該外延層內(nèi)且鄰接該第一阱，其中該第二阱具有與該第一導(dǎo)電類型相反的一第二導(dǎo)電類型；

一第一隔離結(jié)構(gòu)，位于該第二阱內(nèi)；以及

一第一柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該外延層上，且位于該第一阱和該第二阱的界面的上方，其中該第一柵極結(jié)構(gòu)覆蓋該第一隔離結(jié)構(gòu)的一部分；以及

一第二元件，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該第二區(qū)上，其中該第二元件包括一超高壓晶體管，且該埋置層并未延伸至該半導(dǎo)體基底的第二區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該埋置層的范圍小于或等于該第一區(qū)的范圍。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體基底的一部分設(shè)置在該埋置層與該外延層之間。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該超高壓晶體管具有一第二隔離結(jié)構(gòu)，且該第二隔離結(jié)構(gòu)的長度大于該第一隔離結(jié)構(gòu)的長度。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該雙載子-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體-雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管更包括：

一第一摻雜區(qū)和一第二摻雜區(qū)，設(shè)置于該第一阱內(nèi)，其中該第一摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電類型，且該第二摻雜區(qū)具有該第二導(dǎo)電類型；以及

一第三摻雜區(qū)，設(shè)置于該第二阱內(nèi)且具有該第二導(dǎo)電類型。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該雙載子-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體-雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管更包括：

一第一源極電極和一第一漏極電極，設(shè)置于該外延層上，其中該第一源極電極電連接于該第一摻雜區(qū)和該第二摻雜區(qū)，且該第一漏極電極電連接于該第三摻雜區(qū)。

7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該超高壓晶體管包括：

一第三阱，設(shè)置于該外延層內(nèi)且具有該第一導(dǎo)電類型；

一第四阱，設(shè)置于該外延層內(nèi)且鄰接該第三阱，其中該第四阱具有與該第一導(dǎo)電類型相反的一第二導(dǎo)電類型，且該第二隔離結(jié)構(gòu)位于該第四阱內(nèi)；以及

一第二柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該外延層上，且位于該第三阱和該第四阱的界面的上方，其中該第二柵極結(jié)構(gòu)覆蓋該第二隔離結(jié)構(gòu)的一部分。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該超高壓晶體管更包括：

一第四摻雜區(qū)和一第五摻雜區(qū)，設(shè)置于該第三阱內(nèi)，其中該第四摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電類型，且該第五摻雜區(qū)具有該第二導(dǎo)電類型；以及

一第六摻雜區(qū)，設(shè)置于該第四阱內(nèi)且具有該第二導(dǎo)電類型。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該超高壓晶體管更包括：

一第二源極電極和一第二漏極電極，設(shè)置于該外延層上，其中該第二源極電極電連接于該第四摻雜區(qū)和該第五摻雜區(qū)，且該第二漏極電極電連接于該第六摻雜區(qū)。