[發(fā)明專利]一種深硅刻蝕制作高精度通孔的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710842404.9
• 申請(qǐng)日: 2017-09-18
• 公開（公告）號(hào): CN107818918B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳麗翔;王俊力;卓文軍;陳曦;王高峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065;H01L21/306;H01L21/768
• 代理公司: 杭州君度專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33240
• 代理人: 朱月芬

1.一種深硅刻蝕制作高精度通孔的方法，其特征在于該方法的具體步驟是：

步驟1.采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)、熱氧化法或正硅酸乙酯熱分解法在裸硅片正面淀積一層厚度為500～1500nm的SiO₂薄膜，作為背面深硅刻蝕截止層；

步驟2.在SiO₂薄膜層上采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)淀積厚度為1～2μm的多晶硅,便于觀察深硅刻蝕的刻蝕深度空間分布均勻性；

步驟3.從裸硅片背面進(jìn)行紫外光刻，將所設(shè)計(jì)圓環(huán)相間的圖形轉(zhuǎn)移到裸硅片背面的光刻膠上，形成多個(gè)圓環(huán)相間的圖案；每個(gè)圓環(huán)圖案中圓環(huán)的環(huán)寬W大于等于裸硅片厚度h與刻蝕深寬比r之比，即所設(shè)計(jì)圓環(huán)相間的圖形是指，根據(jù)步驟4中深硅刻蝕的離子束強(qiáng)度分布，設(shè)計(jì)每個(gè)圓環(huán)圖案中圓環(huán)的環(huán)寬W，使步驟4中所有圓環(huán)相間的圖案深硅刻蝕速率相同；

步驟4.紫外光刻完成后，按照多個(gè)圓環(huán)相間的圖案進(jìn)行深硅刻蝕，將基底刻穿至刻蝕截止層，形成多個(gè)圓環(huán)溝槽；

步驟5.去除裸硅片背面殘余的光刻膠，然后在裸硅片背面旋涂光刻膠，所旋涂的光刻膠正對(duì)圓環(huán)溝槽圖案，多個(gè)圓環(huán)溝槽內(nèi)充滿光刻膠；

步驟6.將所設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)通孔圖案通過紫外光刻轉(zhuǎn)移到光刻膠上；顯影后，基準(zhǔn)通孔區(qū)域內(nèi)表面及基準(zhǔn)通孔區(qū)域內(nèi)的圓環(huán)溝槽內(nèi)的光刻膠被完全去除；

步驟7.將整個(gè)硅片浸入氫氟酸溶液中，對(duì)截止層進(jìn)行濕法腐蝕，氫氟酸溶液從基準(zhǔn)通孔區(qū)域內(nèi)的圓環(huán)溝槽流入至截止層，基準(zhǔn)通孔區(qū)域內(nèi)的圓環(huán)溝槽對(duì)應(yīng)的SiO₂材料腐蝕完以后，圓環(huán)完全脫落，形成通孔，高精度通孔制作完成。