[發(fā)明專利]積層復(fù)合體、半導(dǎo)體元件承載基板、半導(dǎo)體元件形成晶片、半導(dǎo)體裝置及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710842002.9
• 申請日: 2013-02-07
• 公開（公告）號: CN107706159A
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 塩原利夫;秋葉秀樹;關(guān)口晉
• 申請（專利權(quán)）人: 信越化學(xué)工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/48
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003
• 代理人: 李英艷,張永康

1.一種密封材料積層復(fù)合體，其用于總括密封承載有半導(dǎo)體元件的基板的半導(dǎo)體元件承載面、或形成有半導(dǎo)體元件的晶片的半導(dǎo)體元件形成面；

其特征在于，由支持晶片及未固化樹脂層構(gòu)成；該支持晶片由硅構(gòu)成，該未固化樹脂層由被形成于該支持晶片的一面上的未固化的熱固化性樹脂構(gòu)成。

2.如權(quán)利要求1所述的密封材料積層復(fù)合體，其中，所述支持晶片，與所述承載有半導(dǎo)體元件的基板或所述形成有半導(dǎo)體元件的晶片的膨脹系數(shù)的差為3ppm以下。

3.如權(quán)利要求1所述的密封材料積層復(fù)合體，其中，所述未固化樹脂層的厚度為20微米以上且2000微米以下。

4.如權(quán)利要求2所述的密封材料積層復(fù)合體，其中，所述未固化樹脂層的厚度為20微米以上且2000微米以下。

5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的密封材料積層復(fù)合體，其中，所述未固化樹脂層，包含在小于50℃的溫度固體化并在50℃以上且150℃以下溶融的環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、及環(huán)氧硅酮混成樹脂中的任一種。

6.一種密封后半導(dǎo)體元件承載基板，其特征在于，

利用權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的密封材料積層復(fù)合體的未固化樹脂層，來被覆已承載有半導(dǎo)體元件的基板的半導(dǎo)體元件承載面，并通過加熱、固化該未固化樹脂層，從而被所述密封材料積層復(fù)合體總括密封。

7.一種密封后半導(dǎo)體元件承載基板，其特征在于，

利用權(quán)利要求5所述的密封材料積層復(fù)合體的未固化樹脂層，來被覆已承載有半導(dǎo)體元件的基板的半導(dǎo)體元件承載面，并通過加熱、固化該未固化樹脂層，從而被所述密封材料積層復(fù)合體總括密封。

8.一種密封后半導(dǎo)體元件形成晶片，其特征在于，

利用權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的密封材料積層復(fù)合體的未固化樹脂層，來被覆形成有半導(dǎo)體元件的晶片的半導(dǎo)體元件形成面，并通過加熱、固化該未固化樹脂層，從而被所述密封材料積層復(fù)合體總括密封。

9.一種密封后半導(dǎo)體元件形成晶片，其特征在于，

利用權(quán)利要求5所述的密封材料積層復(fù)合體的未固化樹脂層，來被覆形成有半導(dǎo)體元件的晶片的半導(dǎo)體元件形成面，并通過加熱、固化該未固化樹脂層，從而被所述密封材料積層復(fù)合體總括密封。

10.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

切割權(quán)利要求6所述的密封后半導(dǎo)體元件承載基板、或權(quán)利要求8所述的密封后半導(dǎo)體元件形成晶片，而單顆化。

11.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

切割權(quán)利要求7所述的密封后半導(dǎo)體元件承載基板、或權(quán)利要求9所述的密封后半導(dǎo)體元件形成晶片，而單顆化。

12.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是制造半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，其具有以下工序：

被覆工序，利用權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的密封材料積層復(fù)合體的未固化樹脂層，來被覆已承載有半導(dǎo)體元件的基板的半導(dǎo)體元件承載面、或形成有半導(dǎo)體元件的晶片的半導(dǎo)體元件形成面；

密封工序，通過加熱、固化該未固化樹脂層來總括密封所述半導(dǎo)體元件承載面或所述半導(dǎo)體元件形成面，制成密封后半導(dǎo)體元件承載基板、或密封后半導(dǎo)體元件形成晶片；及，

單顆化工序，通過切割該密封后半導(dǎo)體元件承載基板、或該密封后半導(dǎo)體元件形成晶片，而單顆化，從而制造半導(dǎo)體裝置。

13.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是制造半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，其具有以下工序：

被覆工序，利用權(quán)利要求5所述的密封材料積層復(fù)合體的未固化樹脂層，來被覆已承載有半導(dǎo)體元件的基板的半導(dǎo)體元件承載面、或形成有半導(dǎo)體元件的晶片的半導(dǎo)體元件形成面；

密封工序，通過加熱、固化該未固化樹脂層來總括密封所述半導(dǎo)體元件承載面或所述半導(dǎo)體元件形成面，制成密封后半導(dǎo)體元件承載基板、或密封后半導(dǎo)體元件形成晶片；及，

單顆化工序，通過切割該密封后半導(dǎo)體元件承載基板、或該密封后半導(dǎo)體元件形成晶片，而單顆化，從而制造半導(dǎo)體裝置。