[發明專利]用于高深寬比半導體器件結構的具有污染物去除的無黏附干燥工藝

有效

• 申請號: 201710840913.8
• 申請日: 2013-11-21
• 公開（公告）號: CN107799391B
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 史蒂文·韋爾韋貝克;漢文·陳;羅曼·古科
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67;H01L21/677;B08B3/08;B08B7/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種處理基板的方法，所述方法包含以下步驟：

使基板暴露于第一溶劑，以去除位于所述基板的表面上的一數量的殘余清潔溶液，其中所述基板上形成有高深寬比特征；

使所述基板暴露于第二溶劑，以去除位于所述基板的所述表面上的所述第一溶劑；以及

使所述基板暴露于超臨界流體，以去除位于所述基板的所述表面上的所述第二溶劑，其中使所述基板暴露于所述超臨界流體包括：

將第一量的處于液態的氣體以第一速率輸送到位于第一處理腔室的處理空間中的所述基板的所述表面，所述第一速率被配置為避免干擾位于所述基板的所述表面上的所述第二溶劑；

將第二量的處于液態的所述氣體以第二速率輸送到所述處理空間，其中所述第二速率大于所述第一速率，所述第二速率被配置為在位于所述基板的所述表面上的所述第二溶劑與所述氣體之間形成紊流，以去除位于所述基板的所述表面上的至少一部分所述第二溶劑；

使位于所述處理空間內的所述氣體由液態相變為超臨界態；

使所述超臨界流體流動通過所述基板的所述表面以滲透所述高深寬比特征，所述流動包括按順序的流動所述超臨界流體的周期和所述超臨界流體在所述處理空間中停滯的周期；以及

使位于所述處理空間中的所述氣體由超臨界態等溫減壓為氣態。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述氣體包含二氧化碳(CO₂)。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述第二溶劑包含非極性溶劑，當所述氣體處于液態時，所述非極性溶劑可與所述氣體混溶。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述第二溶劑選自于由丙酮、乙醇及甲醇所組成的群組。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述第一溶劑包含極性溶劑且所述第二溶劑包含丙酮。

6.如權利要求1所述的方法，其中使所述基板暴露于所述第二溶劑是在第二處理腔室中進行，所述第二處理腔室通過傳送腔室耦接至所述第一處理腔室。

7.如權利要求1所述的方法，其中：

所述氣體包含二氧化碳(CO₂)，且

使位于所述處理空間中的所述氣體由超臨界態等溫減壓為氣態的工藝在40℃的溫度下進行。

8.如權利要求1所述的方法，其中將處于液態的所述氣體輸送到所述基板的所述表面進一步包含：在50巴的壓力下將處于液態的所述氣體輸送到所述處理空間。

9.一種處理基板的方法，所述方法包含以下步驟：

使基板暴露于第一溶劑，以去除位于所述基板的表面上的一數量的殘余清潔溶液，其中所述基板上形成有高深寬比特征；

使所述基板暴露于第二溶劑，以去除位于所述基板的所述表面上的所述第一溶劑；以及

使所述基板暴露于超臨界流體，以去除位于所述基板的所述表面上的所述第二溶劑，其中使所述基板暴露于所述超臨界流體包括：

將第一量的處于液態的二氧化碳(CO₂)氣體以第一速率輸送到位于第一處理腔室的處理空間中的所述基板的所述表面，所述第一速率被配置為避免干擾位于所述基板的所述表面上的所述第二溶劑；

將第二量的處于液態的所述二氧化碳(CO₂)氣體以第二速率輸送到所述處理空間，所述第二速率被配置為在位于所述基板的所述表面上的所述第二溶劑與所述二氧化碳(CO₂)氣體之間形成紊流，以去除位于所述基板的所述表面上的至少一部分所述第二溶劑；

使位于所述處理空間內的所述二氧化碳(CO₂)氣體由液態相變為超臨界態；以及

使所述超臨界流體流動通過所述基板的所述表面以滲透所述高深寬比特征，所述流動包括按順序的流動所述超臨界流體的周期和所述超臨界流體在所述處理空間中停滯的周期。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述第二溶劑選自于由丙酮、乙醇及甲醇所組成的群組。