[發明專利]一種高桿萬壽菊組培培養基及其制備方法在審
| 申請號: | 201710840812.0 | 申請日: | 2017-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN107466857A | 公開(公告)日: | 2017-12-15 |
| 發明(設計)人: | 高睿琦;石俊;辛培培;胡俊;高麗 | 申請(專利權)人: | 北京花鄉花木集團有限公司 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 北京維正專利代理有限公司11508 | 代理人: | 曹曉斐 |
| 地址: | 100067 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高桿 萬壽菊 培養基 及其 制備 方法 | ||
1.一種高桿萬壽菊組培培養基,其特征在于:每升培養基中包括有母液Ⅰ45-55ml,母液Ⅱ、母液Ⅲ和母液Ⅳ各3-7ml、蔗糖20-40g、瓊脂粉3-7g、生長促進劑0.06-0.1ml和繁殖促進劑0.3-0.7ml;
母液Ⅰ包括有KNO3 38g/L、NH4NO3 33g/L、CaCl2·2H2O 8.8g/L、MgSO4·7H2O 7.4g/L、KH2PO4 3.4g/L,其余為溶劑;
母液Ⅱ:KI 0.166g/L、H3BO3 1.24g/L、MnSO4·4H2O 4.46g/L、ZnSO4·7H2O 1.72g/L、Na2MoO4·2H2O 0.05g/L、CuSO4·5H2O 0.005g/L、CoCl2·6H2O 0.005g/L,其余為溶劑;
母液Ⅲ:肌醇20g/L、煙酸0.1g/L、鹽酸吡哆素(VB6) 0.1g/L、鹽酸硫胺素(VB1) 0.02g/L、甘氨酸0.4g/L,其余為溶劑;
母液Ⅳ:FeSO4·7H2O 5.56g/L、Na2·EDTA·2H2O 7.46g/L,其余為溶劑。
2.根據權利要求1所述的一種高桿萬壽菊組培培養基,其特征在于:生長促進劑包括有 6-BA 和IAA。
3.根據權利要求2所述的一種高桿萬壽菊組培培養基,其特征在于: 生長促進劑中6-BA與IAA的重量比為1:1,其中6-BA的濃度 500mg/L、IAA的濃度500mg/L。
4.根據權利要求1所述的一種高桿萬壽菊組培培養基,其特征在于:繁殖促進劑包括有銀杏葉萃取液、稀土添加劑。
5.根據權利要求4所述的一種高桿萬壽菊組培培養基,其特征在于:每升培養基中銀杏萃取液與稀土促進劑的重量比為3:2,其中稀土促進劑的濃度為50mg/L,銀杏萃取液的濃度100ml/L。
6.根據權利要求4所述的一種高桿萬壽菊組培培養基,其特征在于:稀土促進劑中的稀土為輕稀土。
7.一種高桿萬壽菊組培培養基的制備方法,其特征在于:包括如下步驟:
S1:配制母液Ⅰ、母液Ⅱ、母液Ⅲ、母液Ⅳ、生長促進劑和繁殖促進劑,保存在冰箱的冷藏室中;
S2:配制1L高桿萬壽菊組培培養基,此時混合母液Ⅰ、母液Ⅱ、母液Ⅲ、母液Ⅳ、生長促進劑、繁殖促進劑、 蔗糖、瓊脂粉;
S3:添加濃度為0.5mol/L的氫氧化鈉或濃度為0.5mol/L的 HCl將PH值調到5.5-6;
S4:然后把高桿萬壽菊組培培養基分裝到培養瓶中,每瓶80ml;
S5:把裝有高桿萬壽菊組培培養基的培養瓶放到高壓滅菌鍋中,消毒 25min,高壓滅菌鍋工作溫度120℃,壓強120kPa。
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